[发明专利]显示设备

权利要求书

1.一种显示设备，其特征在于，包括：

一基板；

一第一晶体管，设置于该基板上，其中该第一晶体管包括一第一半导体层；

一第二晶体管，设置于该基板上，其中该第二晶体管包括一第二半导体层；

一第一缓冲层，设置于该基板上；

一第二缓冲层，设置于该第一缓冲层上；以及

一第一绝缘层，设置于该第二缓冲层上和该第一半导体层下；

其中，该第一缓冲层和该第一绝缘层包括氧化硅，该第二缓冲层包括氮化硅；

其中，该第一半导体层和该第二半导体层其中之一包括一硅半导体层，另一个包括一氧化物半导体层，且该第一晶体管与该第二晶体管电性连接。

2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该基板包括一显示区及一周边区，该周边区与该显示区相邻，该第一晶体管设置于该周边区，该第二晶体管设置于该显示区。

3.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一晶体管包括一第一漏极，该第二晶体管包括一第二栅极，该第一漏极电性连接该第二栅极。

4.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一晶体管包括一第一漏极，且该第一漏极电性连接该第二半导体层。

5.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一绝缘层之厚度大于或等于200纳米并且小于或等于500纳米。

6.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一晶体管包括一第一栅极，该第二晶体管包括一第二栅极，且该第一栅极设置于该第一半导体层上，该第二栅极设置于该第二半导体层上。

7.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一晶体管包括一第一栅极，该第二晶体管包括一第二栅极，且该第一栅极设置于该第一半导体层上，该第二栅极设置于该第二半导体层下。

8.一种显示设备，其特征在于，包括：

一基板，包括一显示区及一周边区，该周边区与该显示区相邻；

一第一晶体管，设置于该周边区上，其中该第一晶体管包括一第一半导体层以及一第一栅极设置于该第一半导体层上；

一第二晶体管，设置于该显示区上，其中该第二晶体管包括一第二半导体层以及一第二栅极设置于该第二半导体层上；

其中，该第一半导体层和该第二半导体层其中之一包括一硅半导体层，另一个包括一氧化物半导体层，且该第一晶体管与该第二晶体管电性连接。

9.如权利要求8所述的显示设备，其特征在于，更包括一第一缓冲层设置于该基板上、一第二缓冲层设置于该第一缓冲层上、以及一第一绝缘层设置于该第二缓冲层上和该第一半导体层下，其中，该第一缓冲层和该第一绝缘层包括氧化硅，该第二缓冲层包括氮化硅。

10.如权利要求9所述的显示设备，其特征在于，该第一绝缘层之厚度大于或等于200纳米并且小于或等于500纳米。

11.如权利要求8所述的显示设备，其特征在于，该第一晶体管包括一第一漏极，且该第一漏极电性连接该第二栅极。