[发明专利]一种用于存内计算的逻辑运算电路

说明书

本发明涉及一种用于存内计算的逻辑运算电路，包括：等效电路输入端、参考电路输入端、复位输入端和输出端；所述等效电路输入端用于输入存内计算阵列的等效电压，所述复位输入端用于输入复位电压，所述参考电路输入端用于输入参考电压；所述用于存内计算的逻辑运算电路根据所述等效电压和所述参考电压的不同输出不同的输出电压，所述输出电压通过所述输出端输出；本发明逻辑运算电路结构简单，复杂度降低，有效的节省了资源。

技术领域

本发明涉及存内计算技术领域，特别是涉及一种用于存内计算的逻辑运算电路。

背景技术

随着计算机应用程序传播到世界的每一个角落。需要处理的数据量呈指数增长。特别是，传统计算平台满足这些需求的能力开始从根本上停滞，这是由于设备架构方面的现有限制。在现有的冯·诺伊曼计算平台中，内存与通过总线互连的计算单元的分离面临着严重的挑战，如长内存访问延迟等。为了缓解这些担忧，找到一种新的存储设备来取代传统的存储器是一种可行的方案。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于存内计算的逻辑运算电路，降低了电路复杂度。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种用于存内计算的逻辑运算电路，包括：等效电路输入端、参考电路输入端、复位输入端和输出端；

所述等效电路输入端用于输入存内计算阵列的等效电压，所述复位输入端用于输入复位电压，所述参考电路输入端用于输入参考电压；

所述用于存内计算的逻辑运算电路根据所述等效电压和所述参考电压的不同输出不同的输出电压，所述输出电压通过所述输出端输出。

可选地，用于存内计算的逻辑运算电路包括：第一或非门、第二或非门、第一反相器和第二反相器；所述输出端包括第一输出端和第二输出端；

所述第一或非门的第一输入端和所述第二或非门的第一输入端均连接所述复位输入端，所述第一或非门的第二输入端连接所述等效电路输入端，所述第一或非门的第三输入端连接所述第二或非门的输出端，所述第二或非门的第二输入端连接所述参考电路输入端，所述第二或非门的第三输入端连接所述第一或非门的输出端；

所述第一或非门的输出端连接所述第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接所述第一输出端；所述第二或非门的输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接所述第二输出端。

可选地，所述第一反相器和所述第二反相器的结构相同。

可选地，所述第一反相器包括第一场效应管和第二场效应管，第二反相器包括所述第三场效应管和第四场效应管；

所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的栅极均连接所述第一或非门的输出端，所述第三场效应管的栅极、所述第四场效应管的栅极均连接所述第二或非门的输出端，所述第三场效应管的第二极和所述第四场效应管的第一极均连接所述第二输出端，所述第一场效应管的第二极和所述第二场效应管的第一极均连接所述第一输出端，所述第二场效应管的第二极和所述第四场效应管的第二极均接地，所述第一场效应管的第一极和所述第三场效应管的第一极均接电源。

可选地，所述第一场效应管和所述第三场效应管均为PMOS管。

可选地，所述第二场效应管和所述第四场效应管均为NMOS管。

可选地，所述用于存内计算的逻辑运算电路根据所述等效电压和所述参考电压的不同输出不同的输出电压，所述输出电压通过所述输出端输出，具体包括：

在所述复位电压为低电位时，当所述等效电压比所述参考电压大时，所述输出端输出高电位；

在所述复位电压为低电位时，当所述等效电压比所述参考电压小时，所述输出端输出低电位；

所述低电位为0，所述高电位为1。