[发明专利]一种用于存内计算的逻辑运算电路有效
申请号: | 202110421262.5 | 申请日: | 2021-04-20 |
公开(公告)号: | CN112994681B | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 尚德龙;张叶叶;曾庆阳;乔树山;周玉梅 | 申请(专利权)人: | 中科院微电子研究所南京智能技术研究院 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 杜阳阳 |
地址: | 211100 江苏省南京市江宁*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 计算 逻辑运算 电路 | ||
1.一种用于存内计算的逻辑运算电路,其特征在于,包括:等效电路输入端、参考电路输入端、复位输入端和输出端;
所述等效电路输入端用于输入存内计算阵列的等效电压,所述复位输入端用于输入复位电压,所述参考电路输入端用于输入参考电压;
所述用于存内计算的逻辑运算电路根据所述等效电压和所述参考电压的不同输出不同的输出电压,所述输出电压通过所述输出端输出;
所述用于存内计算的逻辑运算电路还包括:第一或非门、第二或非门、第一反相器和第二反相器;所述输出端包括第一输出端和第二输出端;
所述第一或非门的第一输入端和所述第二或非门的第一输入端均连接所述复位输入端,所述第一或非门的第二输入端连接所述等效电路输入端,所述第一或非门的第三输入端连接所述第二或非门的输出端,所述第二或非门的第二输入端连接所述参考电路输入端,所述第二或非门的第三输入端连接所述第一或非门的输出端;
所述第一或非门的输出端连接所述第一反相器的输入端,所述第一反相器的输出端连接所述第一输出端;所述第二或非门的输出端连接所述第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端连接所述第二输出端;
将复位输入端置为高电位,第一输出端和第二输出端都为高电位,用于存内计算的逻辑运算电路保持为一个置位的状态;复位输入端输入保持为低电位,用于存内计算的逻辑运算电路进入计算状态;
所述用于存内计算的逻辑运算电路根据所述等效电压和所述参考电压的不同输出不同的输出电压,所述输出电压通过所述输出端输出,具体包括:
在所述复位电压为低电位时,当所述等效电压比所述参考电压大时,所述第一输出端输出高电位,所述第二输出端输出低电位;
在所述复位电压为低电位时,当所述等效电压比所述参考电压小时,所述第一输出端输出低电位,所述第二输出端输出高电位;
所述低电位为0,所述高电位为1。
2.根据权利要求1所述的用于存内计算的逻辑运算电路,其特征在于,所述第一反相器和所述第二反相器的结构相同。
3.根据权利要求2所述的用于存内计算的逻辑运算电路,其特征在于,所述第一反相器包括第一场效应管和第二场效应管,第二反相器包括第三场效应管和第四场效应管;
所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的栅极均连接所述第一或非门的输出端,所述第三场效应管的栅极、所述第四场效应管的栅极均连接所述第二或非门的输出端,所述第三场效应管的第二极和所述第四场效应管的第一极均连接所述第二输出端,所述第一场效应管的第二极和所述第二场效应管的第一极均连接所述第一输出端,所述第二场效应管的第二极和所述第四场效应管的第二极均接地,所述第一场效应管的第一极和所述第三场效应管的第一极均接电源。
4.根据权利要求3所述的用于存内计算的逻辑运算电路,其特征在于,所述第一场效应管和所述第三场效应管均为PMOS管。
5.根据权利要求3所述的用于存内计算的逻辑运算电路,其特征在于,所述第二场效应管和所述第四场效应管均为NMOS管。
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