[发明专利]一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法

权利要求书

1.一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、配制浆料：

将粘接剂溶解于去离子水中，加入分散剂搅拌均匀得到浆料；

步骤二、球磨处理：

将氮化铝粉料加入步骤一所得浆料中，搅拌均匀后进行球磨得到混合浆料；

步骤三、冻干处理：

将步骤二所得混合浆料注入模具中，-60℃条件下冷冻固化、脱模并置于-60℃进行升华干燥；

步骤四、烧结、酸洗处理：

步骤三所得冻干材料经烧结、酸洗，得到多孔氮化铝原料；

所述步骤一浆料中粘接剂的浓度为1～5wt％，分散剂的浓度为1～5wt％；

所述步骤二所述氮化铝粉料与浆料的质量体积比为5g:1mL～10g:1mL。

2.根据权利要求1所述一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，其特征在于，所述粘接剂为聚乙烯醇、琼脂糖、海藻酸钠，所述分散剂为HPMA、聚丙烯胺、硬脂酸钠。

3.根据权利要求2所述一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，其特征在于，步骤二中所述氮化铝粉料为经过抗水解预处理的氮化铝粉料，所述抗水解预处理的具体方法是将氮化铝粉体浸入质量浓度为1～6％的Al(H₂PO₄)₃溶液浸泡1～3h。

4.根据权利要求1所述一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，其特征在于，步骤二所述球磨处理的球磨转速为60～100rpm，球磨时间为12～24h。

5.根据权利要求4所述一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，其特征在于，步骤三所述升华干燥的处理时间为24～48h。

6.根据权利要求5所述一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，其特征在于，步骤四所述烧结处理是以5℃/min的升温速度升温至1450℃保温2h。

7.根据权利要求6所述一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，其特征在于，步骤四所述酸洗是在40～50℃条件下用酸液将烧结后材料酸洗3～8h，所述酸液为HF与HNO₃按体积比1:2配制的混合酸。