[发明专利]一种可降低饱和压降的IGBT芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110416455.1 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113130640A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李云燕 | 申请（专利权）人： | 齐美微纳科技无锡有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡永乐唯勤专利代理事务所(普通合伙) 32369 | 代理人： | 章陆一 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 饱和 igbt 芯片 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种可降低饱和压降的IGBT芯片，其特征在于，包括一衬底，所述衬底具有相互垂直的A方向和B方向，所述A方向和B方向均为与衬底垂直的晶面，为{110}晶面；所述衬底上形成有沟槽，所述沟槽方向为C方向，所述C方向与所述A方向或B方向呈预定夹角。
2.如权利要求1所述的可降低饱和压降的IGBT芯片，其特征在于，所述C方向与所述A方向呈预定夹角范围为40-50°。
3.如权利要求2所述的可降低饱和压降的IGBT芯片，其特征在于，所述C方向与所述A方向呈预定夹角为45°。
4.一种可降低饱和压降的IGBT芯片的制备方法，其特征在于，提供一晶圆，所述晶圆具有相互垂直的A方向和B方向，所述A方向和B方向均为与晶圆垂直的晶面，为{110}晶面；在所述晶圆上形成多个原胞结构，所述原胞结构的沟槽方向为C方向，使所述C方向与所述A方向或B方向呈预定夹角。
5.如权利要求4所述的可降低饱和压降的IGBT芯片的制备方法，其特征在于，所述C方向与所述A方向呈预定夹角范围为40-50°。
6.如权利要求5所述的可降低饱和压降的IGBT芯片的制备方法，其特征在于，所述C方向与所述A方向呈预定夹角为45°。
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