[发明专利]一种采用射频杀菌的芝麻核桃粉加工方法在审
申请号: | 202110413054.0 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN112998233A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 刘井山 | 申请(专利权)人: | 安徽燕之坊食品有限公司 |
主分类号: | A23L25/00 | 分类号: | A23L25/00;A23L3/01 |
代理公司: | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人: | 刘汪丹 |
地址: | 230000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 射频 杀菌 芝麻 核桃 加工 方法 | ||
1.一种采用射频杀菌的芝麻核桃粉加工方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步、准备以下重量份原料:芝麻粉20-40份、核桃粉80-120份、助剂0.5份、砂糖3-6份;
第二步、将芝麻粉、核桃粉、助剂和砂糖加入搅拌罐中,搅拌均匀后装入包装袋内进行热封,将热封后的产品于6kW,27.12MHz射频加热设备中进行加热杀菌处理,处理结束后,冷却至室温,即得芝麻核桃粉产品。
2.根据权利要求1所述的一种采用射频杀菌的芝麻核桃粉加工方法,其特征在于,所述助剂由以下步骤制成:
步骤A1、将微晶纤维素和质量分数15%的氢氧化钠溶液加入烧杯中,控制温度60℃,磁力搅拌2h,然后冷却至室温抽滤,滤饼用去离子水洗涤至洗涤液呈中性,再于40℃的真空干燥箱中干燥至恒重,得到中间体1;
步骤A2、将碳酸钠、碳酸氢钠和去离子水加入烧杯中,搅拌均匀配制成pH值为10-11的缓冲液,然后向缓冲液中加入中间体1,控制反应温度40℃,转速300-500r/min条件下搅拌20min后,向缓冲液中加入2,2,6,6四甲基哌啶-1-氧自由基和溴化钠,提高转速至2500r/min,搅拌1-3h后,向烧杯中滴加溶剂a,控制滴加速度1-3滴/秒,滴加结束后,转速200-300r/min条件下搅拌反应5h,反应结束后,冷却至室温并向反应液中加入体积2倍的无水乙醇,出现白色析出物,然后抽滤,将滤饼先用无水乙醇洗涤3次,再于60℃下真空干燥至恒重,得到中间体2;
步骤A3、将质量分数2%的乙酸溶液和苯磺酰胺加入圆底烧瓶中,升温至65℃,转速100r/min条件下搅拌至完全溶解,然后向圆底烧瓶中加入中间体2和去离子水,充入氮气,磁力搅拌30min后,向圆底烧瓶中加入交联剂和催化剂,降温至60℃,保温搅拌反应24后,向圆底烧瓶中滴加质量分数40%的氢氧化钠溶液,析出产物,然后过滤,将滤饼用去离子水洗涤至洗涤液呈中性,于温度80℃烘箱中干燥恒重,得到中间体3;
步骤A4、将中间体3、壳聚糖和质量分数1%的乙醇溶液加入反应釜中,转速100r/min条件下搅拌20min后,向反应釜中加入吐温-80,控制反应温度60℃,继续搅拌2h,然后向反应釜中加入草果精油,室温条件下,搅拌30min后,向反应釜中加入溶剂b,继续搅拌2-4h,于转速4000-6000r/min条件下离心10min,将沉淀用去离子水洗涤两遍,于-35℃条件下冷冻干燥72h,得到助剂。
3.根据权利要求2所述的一种采用射频杀菌的芝麻核桃粉加工方法,其特征在于,步骤A1中微晶纤维素和氢氧化钠溶液的用量比为5.0g:100mL。
4.根据权利要求2所述的一种采用射频杀菌的芝麻核桃粉加工方法,其特征在于,步骤A2中溶剂a由以下步骤制成:
将次氯酸钠和去离子按照1g:5-8mL加入三口烧杯中,转速60-100r/min条件下搅拌30min后,用恒压滴液漏斗向三口烧瓶中滴加质量分数17%的盐酸溶液调节体系pH值10,即得溶剂a。
5.根据权利要求2所述的一种采用射频杀菌的芝麻核桃粉加工方法,其特征在于,步骤A2中缓冲液、中间体1、2,2,6,6四甲基哌啶-1-氧自由基、溴化钠和溶剂a的用量比为2.0g:30-50mL:40mg:0.6g:8mL。
6.根据权利要求2所述的一种采用射频杀菌的芝麻核桃粉加工方法,其特征在于,步骤A3中乙酸溶液、苯磺酰胺、中间体2、去离子水、交联剂和催化剂的用量比为500mL:0.5g:1g:50mL:0.06g:0.01g,交联剂为1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)酰胺二亚胺盐酸盐和质量分数10%的盐酸溶液按照1g:20mL混合而成,催化剂为N-羟基琥珀酰亚胺。
7.根据权利要求2所述的一种采用射频杀菌的芝麻核桃粉加工方法,其特征在于,步骤A4中中间体3、壳聚糖、质量分数1%的乙醇溶液、吐温-80、草果精油和溶剂b的用量比为0.1g:0.1g:60-80mL:0.3mL:1g:0.1mL;溶剂b由三聚磷酸钠和去离子水按照1g:15-20mL混合而成。
8.根据权利要求1所述的一种采用射频杀菌的芝麻核桃粉加工方法,其特征在于,第二步中射频杀菌的条件为极板间距70-130mm,物料温度80-90℃。
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