[发明专利]一种半导体器件的SSTA模型优化方法有效
| 申请号： | 202110411630.8 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113128114B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 苏炳熏;杨展悌;叶甜春;罗军;赵杰;薛静 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子（广州）有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F30/27 | 分类号： | G06F30/27 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 ssta 模型 优化 方法 | ||
1.一种半导体器件的SSTA模型优化方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：向SSTA输入电晶体上的环形振荡器的路径延迟与其空间位置的假想关系曲线；
S2：通过贝叶斯算法对M个电晶体上的环形振荡器的路径延迟进行学习，每对一个电晶体学习完成后执行一次步骤S3，具体如下：
S20：在电晶体上的K路环形振荡器中随机选取两路已经设计好的环形振荡器，每路环形振荡器均包括M个反相器；
S21：通过bootstrap抽样方法随机在这两路环形振荡器中随机选取N个反相器，N小于M，一路环形振荡器中的选取的N个反相器记为D1={D11,D12……D1N},另一路环形振荡器中选取的N个反相器记为D2={D21,D22……D2N}，将D1和D2作为一组样例，重复执行步骤S21，直至获取B组样例；
S22：重复J次步骤S20和S21，获取J*B组样例；
S23：通过贝叶斯算法对J*B组样例的路径延迟进行学习；
S3：使用SSTA对步骤S2中的学习结果进行分析，获取环形振荡器的路径延迟和其空间位置的实际关系曲线；步骤S3中SSTA对J*B组样例中的D1和D2的路径延迟和空间位置的关系进行分析，然后根据J*B组样例的分析结果求出环形振荡器的路径延迟与空间位置的实际关系曲线。
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件的SSTA模型优化方法，其特征在于：步骤S3中对步骤S2中的所有获取到的学习结果进行分析。
3.根据权利要求1所述的一种半导体器件的SSTA模型优化方法，其特征在于：步骤S2中每当一个电晶体学习完成后，步骤S3中根据电晶体上的环形振荡器的路径延迟的最大值和最小值调节所述实际关系曲线的上边界和下边界。
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