[发明专利]一种Ag/MoSe2

说明书

本发明公开了一种Ag/MoSe₂‑PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，具体为：采用水热法合成麻团状单层MoSe₂团簇，将其采用真空抽滤法制备MoSe₂薄膜，并将该薄膜与PMMA薄膜复合形成MoSe₂‑PMMA薄膜作为阻变功能层材料制备Ag/MoSe₂‑PMMA/Cu阻变存储器。发明将单层MoSe₂团簇与PMMA形成复合功能层制备Ag/MoSe₂‑PMMA/Cu阻变存储器，PMMA薄膜可以将MoSe₂薄膜封装在衬底上，使MoSe₂薄膜不易被氧化，并且旋涂制备PMMA薄膜时会将MoSe₂薄膜凹陷部分填满，使MoSe2‑PMMA复合薄膜厚度均匀且表面光滑，从而提高了阻变存储器的耐受性。

技术领域

本发明属于二维材料与器件领域，具体涉及一种Ag/MoSe₂-PMMA/Cu阻变存储器及其制备方法。

背景技术

随着信息产业的快速发展，高性能、低成本、非易失性存储器在电子器件和逻辑存储单元中的应用需求越来越大，传统的硅基信息存储技术面临着理论和物理上的限制。在众多非易失性存储器竞争中，阻变存储器（Resistive Random Access Memory,RRAM）具有写入速度快、密度高、耐久性好、保持时间长、工作电压低等优点，已成为下一代数据存储设备的理想替代品。

寻找合适的功能材料来改善RRAM的特性是一个重要的研究领域。迄今为止，使用最广泛的高可靠性RRAM器件是以绝缘过渡金属氧化物（为阻变材料，如Al₂O₃、TaOx和TiO₂。二维材料由于其超薄、柔性、晶体结构，在过去十几年中的研究表现出了独特的电学、化学、力学和物理性能。二维材料，如石墨烯、氧化石墨烯、还原氧化石墨烯、过渡金属二卤化物和MXenes已经被引入作为阻变层，在柔性和刚性衬底上制备RRAM器件。尽管基于绝缘过渡金属氧化物和二维材料的RRAM器件表现出了优异的性能，但是实现一种具有所有期望属性的功能性记忆材料仍然是一项具有挑战性的工作。功能层的复合是提高其性能的有效途径之一，与石墨烯、GO、RGO、TaOx、MoS₂等单活性层相比，基于复合功能层的RRAM性能得到了较大幅度的提高。

商用柔性可穿戴器件的发展需要较低的RRAM工作电压。为研制可穿戴技术，需要电源电压小于1v的存储器和电路。然而，当开关比大于10²、耐受性大于10³且Set电流小于10^-3 A时，几乎所有基于TMO和2D材料的RRAM的Set都高于1 V。

发明内容

本发明的目的是要提供一种水热法合成麻团状单层MoSe₂团簇，将其采用真空抽滤法制备MoSe₂薄膜，并将该薄膜与PMMA薄膜复合形成MoSe₂-PMMA薄膜作为阻变功能层材料制备Ag/ MoSe₂-PMMA/Cu阻变存储器的方法。

为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案。

一种Ag/MoSe₂-PMMA/Cu阻变存储器，从下至上依次包括衬底，底电极，MoSe₂-PMMA复合薄膜和顶电极，所述衬底为玻璃衬底，所述底电极为Ag，所述顶电极为Cu。

所述底电极的厚度为100~300nm。

所述顶电极的厚度为100~300nm，直径250μm。

一种Ag/MoSe₂-PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，依次包括以下步骤：

步骤一：将硒粉加入到水合肼中搅拌至血红色，取钼酸钠溶解在去离子水中，将上述两种溶液混合后装进反应釜内；