[发明专利]一种Ag/MoSe2 有效
| 申请号： | 202110411575.2 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113594358B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 坚佳莹;冯浩;张文力;董芃凡;常洪龙;坚增运 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ag mose base sub | ||
1.一种Ag/MoSe2-PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，其特征在于：
依次包括以下步骤：
步骤一：将硒粉加入到水合肼中搅拌至血红色，取钼酸钠溶解在去离子水中，将上述两种溶液混合后装进反应釜内；
步骤二：维持反应釜温度180~210℃，进行水热反应36~56h；
步骤三：反应结束后，将产物用氢氧化钠、乙醇、去离子水分别清洗，然后恒温80℃烘干，得到产物MoSe2；
步骤四：称取步骤三制得的1~2 g MoSe2加入10~20 mL的N-N二甲基甲酰胺中，采用超声法制备MoSe2悬浮液；
步骤五：采用真空蒸发镀膜法在清洗后的玻璃衬底上蒸镀厚度为100~300nm的Ag底电极；
步骤六：将步骤四制得的MoSe2悬浮液采用真空抽滤法在底电极上制备MoSe2薄膜, 并采用旋转涂胶法在MoSe2薄膜表面旋涂一层PMMA；
步骤七：在PMMA薄膜上表面真空蒸镀直径250μm、厚度100~300nm的Cu作为顶电极。
2.根据权利要求1所述的一种Ag/MoSe2-PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，其特征在于：
步骤一中，所述硒粉与钼酸钠的摩尔比为1:1，水合肼和去离子水的体积比为1:1。
3.根据权利要求2所述的一种Ag/MoSe2-PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，其特征在于：
步骤四中，所述超声法的时间为1~4h，超声功率为150~250 W。
4.根据权利要求3所述的一种Ag/MoSe2-PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，其特征在于：
步骤五中，所述真空蒸镀的条件为：蒸镀速率为1~2Å/s、本底真空小于5×10-4 Pa、蒸镀功率为130~160 W。
5.根据权利要求4所述的一种Ag/MoSe2-PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，其特征在于：
步骤六中，所述MoSe2悬浮液体积为0.5~3mL，所述旋转涂胶法的转速为4000 rpm ~8000 rpm，旋涂时间为60 ~120 s。
6.根据权利要求4所述的一种Ag/MoSe2-PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，其特征在于：
步骤七中，所述真空蒸镀的条件为：蒸镀速率为1~2Å/s、本底真空小于5×10-4 Pa、蒸镀功率为160~190 W。
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