[发明专利]覆盖监测

说明书

一种用于覆盖监测的方法、非暂时性计算机可读介质和系统。

背景技术

半导体晶片(有时在本文中就称为“晶片”)包括通过高度复杂的制造工艺制造的多个层。

在许多情况下，晶片的一个层的结构元件应与晶片的另一层的结构元件对准。例如，一个层的导线应与另一层处形成的孔对准。所述孔可填充有导电材料，此导电材料可与所述导线形成导电路径。

晶片的不同层的不同元件之间的未对准(也称为覆盖误差)可能导致故障。例如，导线可能与孔未对准，这可能导致导电路径中的间隙。

可使用具有有限分辨率的光学覆盖工具检测覆盖误差。

扫描电子显微镜可用于检测覆盖误差。然而，已发现，检测埋入的结构元件可能需要对带电电子束的大量曝光，这可能损坏晶片。

越来越需要提供一种安全的用于覆盖监测的方法。

发明内容

本公开内容的实施方式提供一种用于覆盖监测的方法、非暂时性计算机可读介质和系统。

在一些实施方式中，提供一种用于覆盖监测的方法。所述方法可包括：获得基板的区域的二次电子图像和基板的区域的背散射电子图像，所述基板的区域包括第一结构元件的第一阵列和第二结构元件的第二阵列，所述第一结构元件是可重复的且位于所述基板的表面处，所述第二结构元件是可重复的且位于所述第一阵列之下和所述基板的表面之下；确定所述第一结构元件在所述二次电子图像内的位置；基于所述第一结构元件的位置，定义所述背散射电子图像中的关注区；处理位于所述关注区内的背散射电子图像的像素，以提供第二结构元件的背散射电子表示；和基于关于所述第二结构元件的背散射电子表示内的第二结构元件的位置信息以及关于所述二次电子图像中的至少一个第一结构元件的位置信息，计算覆盖误差。

所述方法的各种实现可包括以下一个或多个。像素的处理可包括将位于不同关注区内的相同位置处的像素平均化，以提供第二结构元件的合成背散射电子图像。第一结构元件的位置的确定可包括应用斑点(blob)分析。覆盖误差的计算可包括计算至少一个第一结构元件的中心与背散射电子表示内的第二结构元件的中心之间的位移。背散射电子图像的信噪比可低于允许的信噪比阈值，其中背散射电子表示的信噪比不小于允许的信噪比阈值。可同时获取区域的二次电子图像和区域的背散射电子图像。可在不损坏区域的情况下产生二次电子图像和背散射电子图像。可通过处理所述区域的数个二次电子帧来产生所述区域的二次电子图像，并且可通过处理所述区域的数个背散射电子帧来产生所述区域的背散射电子图像。

附图说明

在说明书的结论部分中特别指出并明确要求保护被视为本公开内容的实施方式的主题。然而，当结合附图阅读时，通过参考以下详细描述，可最好地理解本公开内容的关于组织和操作方法的实施方式及其目的、特征和优点，在附图中：

图1示出方法的示例；

图2示出基板和系统的示例；和

图3至图5示出各个图像、关注区和处理操作。

具体实施方式

在下文的详细描述中，阐述了众多具体细节以便提供对本公开内容的实施方式的透彻理解。

然而，本领域技术人员将理解，可在没有这些具体细节的情况下实践本公开内容的当前实施方式。在其他情况下，未详细描述众所周知的方法、程序和部件，以免模糊本公开内容的当前实施方式。

在说明书的结论部分中特别指出并明确要求保护被视为本公开内容的实施方式的主题。然而，当结合附图阅读时，通过参考以下详细描述，可最好地理解本公开内容的关于组织和操作方法的实施方式及其目的、特征和优点。