[发明专利]覆盖监测有效

专利信息
申请号: 202110410254.0 申请日: 2021-04-16
公开(公告)号: CN113538328B 公开(公告)日: 2022-12-16
发明(设计)人: V·开普兰;S·阿达勒;L·J·沙查尔;K·R·胡琴 申请(专利权)人: 应用材料以色列公司
主分类号: G06T7/00 分类号: G06T7/00;H01L21/66
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖;张鑫
地址: 以色列瑞*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 覆盖 监测
【权利要求书】:

1.一种用于覆盖监测的方法,所述方法包括:

获得基板的区域的二次电子图像和所述基板的所述区域的背散射电子图像,所述基板的所述区域包括第一结构元件的第一阵列和第二结构元件的第二阵列,所述第一结构元件是彼此相同的且位于所述基板的表面处,所述第二结构元件是彼此相同的且位于所述第一阵列之下和所述基板的所述表面之下;

确定所述第一结构元件在所述二次电子图像内的多个不同位置;

基于所述第一结构元件的所述多个不同位置,定义所述背散射电子图像的多个不同关注区,其中所述多个不同关注区内的每个关注区由描绘所述区中的第二结构元件的至少一部分的所述背散射电子图像中的像素子集表示;

对表示所述多个关注区的所述背散射电子图像的多个不同像素子集进行平均化,以从所述多个不同像素子集产生单个第二结构元件的背散射电子表示;和

基于关于所述第二结构元件的所述背散射电子表示内的所述第二结构元件的位置信息以及关于所述二次电子图像中的至少一个第一结构元件的位置信息,计算覆盖误差。

2.如权利要求1所述的方法,其中所述对所述多个不同像素子集进行平均化包括将位于所述不同关注区中的每个关注区内的相同位置处的像素平均化,以提供所述第二结构元件的合成背散射电子图像。

3.如权利要求1所述的方法,其中所述第一结构元件的所述位置的所述确定包括应用斑点分析。

4.如权利要求1所述的方法,其中所述覆盖误差的所述计算包括计算所述至少一个第一结构元件的中心与所述背散射电子表示内的所述第二结构元件的中心之间的位移。

5.如权利要求1所述的方法,其中所述背散射电子图像的信噪比低于允许的信噪比阈值,且其中所述背散射电子表示的信噪比不小于所述允许的信噪比阈值。

6.如权利要求1所述的方法,其中同时获取所述区域的所述二次电子图像和所述区域的所述背散射电子图像。

7.如权利要求1所述的方法,进一步包括:在不损坏所述区域的情况下产生所述二次电子图像和所述背散射电子图像。

8.如权利要求1所述的方法,进一步包括:通过处理所述区域的数个二次电子帧来产生所述区域的所述二次电子图像;并且通过处理所述区域的数个背散射电子帧来产生所述区域的所述背散射电子图像。

9.一种非暂时性计算机可读介质,所述非暂时性计算机可读介质存储指令用于:

获得基板的区域的二次电子图像和所述基板的所述区域的背散射电子图像,所述基板的所述区域包括第一结构元件的第一阵列和第二结构元件的第二阵列,所述第一结构元件是彼此相同的且位于所述基板的表面处,所述第二结构元件是彼此相同的且位于所述第一阵列之下和所述基板的所述表面之下;

确定所述第一结构元件在所述二次电子图像内的多个不同位置;

基于所述第一结构元件的所述多个不同位置,定义所述背散射电子图像的多个不同关注区,其中所述多个不同关注区内的每个关注区由描绘所述区中的第二结构元件的至少一部分的所述背散射电子图像中的像素子集表示;

对表示所述多个关注区的所述背散射电子图像的多个不同像素子集进行平均化,以从所述多个不同像素子集产生单个第二结构元件的背散射电子表示;和

基于关于所述第二结构元件的所述背散射电子表示内的所述第二结构元件的位置信息以及关于所述二次电子图像中的至少一个第一结构元件的位置信息,计算覆盖误差。

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