[发明专利]覆晶型激光器件以及制作方法

说明书

本申请实施例提供一种覆晶型激光器件以及制作方法，包括衬底、设置于衬底上的外延层组，该外延层组内形成有出光区域，还包括设置于衬底远离外延层组一侧的第一电极、设置于外延层组远离衬底一侧的第二电极，第一电极的位置与出光区域位置对应。其中，在衬底和外延层组中开设有垂直贯穿衬底和外延层组的通孔，通孔的位置与第二电极位置对应。此外，器件还包括形成于通孔内壁的绝缘层，及形成于通孔内的导电金属，该导电金属将第二电极引至衬底的远离外延层组的一侧。如此，可在无需翻转器件的情况下，将第二电极引至衬底一侧，光线可由出光区域从外延层组出光而无需经过衬底，无需受到衬底能隙的限制，可根据实际应用需求，生产各种波长的产品。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种覆晶型激光器件以及制作方法。

背景技术

覆晶型封装技术由于不需要使用金线进行打线等流程，可简化金线封装工艺，降低导线架、打线成本。因此，目前的封装工艺常采用覆晶型封装。

垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL)在采用覆晶型封装时，需要将电极连接至封装底材上，因此在封装后激光器件的衬底朝上，光线须由衬底出光。由于不同衬底的能隙以及不同光线的波长，导致有些波长的光线可能被衬底所吸收而无法穿过衬底出光。因此，目前的激光器件在应用于覆晶型封装的场景下，难以生产各种波长的产品，难以适应多样化的波长需求。

发明内容

本申请的目的包括，例如，提供了一种覆晶型激光器件以及制作方法，其能够使得覆晶型封装场景下的激光器件不受衬底能隙限制，可适用于生产各种波长的产品。

本申请的实施例可以这样实现：

第一方面，本申请提供一种覆晶型激光器件，包括：

衬底；

设置于所述衬底上的外延层组，所述外延层组内形成有出光区域；

设置于所述衬底远离所述外延层组一侧的第一电极，所述第一电极的位置与所述出光区域位置对应，且与所述衬底接触；

设置于所述外延层组远离所述衬底一侧的第二电极；

其中，所述衬底和所述外延层组中开设有垂直贯穿所述衬底和所述外延层组的通孔，所述通孔的位置与所述第二电极位置对应；

所述覆晶型激光器件还包括：

形成于所述通孔内壁的绝缘层；

形成于所述通孔内的导电金属，以将所述第二电极引至所述衬底的远离所述外延层组的一侧。

在可选的实施方式中，在所述导电金属伸出所述通孔的部分与所述衬底之间还设置有所述绝缘层。

在可选的实施方式中，所述绝缘层为沉积形成于所述通孔内壁的绝缘膜，或由涂布于所述通孔内壁的绝缘材料形成。

在可选的实施方式中，所述外延层组的厚度为0.5μm-5μm。

在可选的实施方式中，所述出光区域的形状为环状结构，该环状结构的孔径为5μm-10μm。

在可选的实施方式中，所述第二电极的形状为圆环状，所述第二电极的环宽D为4μm-10μm。

在可选的实施方式中，所述通孔的直径为d，其中，d的取值范围在1/4D至2/3D之间。

在可选的实施方式中，所述外延层组包括：

设置于所述衬底远离所述第一电极一侧的第一布拉格反射镜；

设置于所述第一布拉格反射镜上的量子阱层；