[发明专利]覆晶型激光器件以及制作方法

权利要求书

1.一种覆晶型激光器件，其特征在于，包括：

衬底；

设置于所述衬底上的外延层组，所述外延层组内形成有出光区域；

设置于所述衬底远离所述外延层组一侧的第一电极，所述第一电极的位置与所述出光区域位置对应，且与所述衬底接触；

设置于所述外延层组远离所述衬底一侧的第二电极；

其中，所述衬底和所述外延层组中开设有垂直贯穿所述衬底和所述外延层组的通孔，所述通孔的位置与所述第二电极位置对应；

所述覆晶型激光器件还包括：

形成于所述通孔内壁的绝缘层；

形成于所述通孔内的导电金属，以将所述第二电极引至所述衬底的远离所述外延层组的一侧。

2.根据权利要求1所述的覆晶型激光器件，其特征在于，在所述导电金属伸出所述通孔的部分与所述衬底之间还设置有所述绝缘层。

3.根据权利要求1所述的覆晶型激光器件，其特征在于，所述绝缘层为沉积形成于所述通孔内壁的绝缘膜，或由涂布于所述通孔内壁的绝缘材料形成。

4.根据权利要求1所述的覆晶型激光器件，其特征在于，所述外延层组的厚度为0.5μm-5μm。

5.根据权利要求1所述的覆晶型激光器件，其特征在于，所述出光区域的形状为环状结构，该环状结构的孔径为5μm-10μm。

6.根据权利要求1所述的覆晶型激光器件，其特征在于，所述第二电极的形状为圆环状，所述第二电极的环宽D为4μm-10μm。

7.根据权利要求6所述的覆晶型激光器件，其特征在于，所述通孔的直径为d，其中，d的取值范围在1/4D至2/3D之间。

8.根据权利要求1所述的覆晶型激光器件，其特征在于，所述外延层组包括：

设置于所述衬底远离所述第一电极一侧的第一布拉格反射镜；

设置于所述第一布拉格反射镜上的量子阱层；

形成于所述量子阱层上的第二布拉格反射镜，所述第二布拉格反射镜包括呈环形状的氧化层，以内部形成所述出光区域；

形成于所述量子阱层上的接触层。

9.根据权利要求8所述的覆晶型激光器件，其特征在于，所述通孔贯穿所述氧化层。

10.一种覆晶型激光器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上外延生长形成外延层组，所述外延层组中形成有出光区域；

在所述衬底远离所述外延层组一侧制作形成第一电极，所述第一电极的位置与所述出光区域位置对应；

在所述外延层组远离所述衬底一侧制作形成第二电极；

从所述衬底往所述外延层组的方向开设垂直贯穿所述衬底和所述外延层组的通孔，所述通孔的位置与所述第二电极位置对应；

在所述通孔内壁形成绝缘层；

在所述通孔内形成导电金属，以将所述第二电极引至所述衬底的远离所述外延层组的一侧。