[发明专利]用于电子束光刻套刻的通用对准标记及其制造方法

说明书

本发明提供了一种用于电子束光刻套刻的通用对准标记及其制造方法，包括衬底层、绝缘层和芯层；所述绝缘层位于所述衬底层上，所述芯层位于所述绝缘层上；所述对准标记为10‑20微米的正方形阵列，周期性分布在基片上；所述对准标记的结构贯穿芯层和绝缘层，截止在衬底层。本发明一次性可加工的基片数量增加，提高了加工效率并降低了加工成本。

技术领域

本发明涉及电子束光刻技术领域，具体地，涉及一种用于电子束光刻套刻的通用对准标记及其制造方法。

背景技术

随着微纳米科技的发展及器件结构的不断缩减，纳米结构的加工应用越来越广泛，而电子束光刻技术能够实现几个纳米至百纳米尺寸的精确刻写，使其成为重要的纳米结构加工方法之一。

随着器件的复杂程度越来越高，需要两次及以上的电子束套刻来实现结构的加工，这就需要在基片材料上加工用于电子束套刻的对准标记。目前常用的对准标记为金的十字或者方块对准标记，利用电子束曝光技术刻写在基片材料上，再进行金属沉积和剥离的方法进行加工。这样的加工方法，一个是因为电子束刻写的速度比较慢，且是串行的加工方式，需要一个图形一个图形的刻写，成本很高，而且这种标记采用的金层厚度往往还比较薄，进行过几次曝光套刻后就会被破坏，严重影响后面的使用；尤其与CMOS加工工艺结合后，硅基类的器件加工要求也越来越高，有些半导体的加工工艺中严禁使用金属材料，使得这类对准标记无法应用。

专利文献CN104698773A(申请号：CN201510149621.0)公开了一种光刻对准标记结构及其制造方法，是一种多层次相互对准精度图形结构设计及其制造方法，所有光刻对准图形在向任意层光刻对准图形所在平面投影时，均相对同一中心呈中心对称图形，且所有光刻对准图形的投影按照光刻对准图形的形成顺序由内向外依次嵌套和扩展。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种用于电子束光刻套刻的通用对准标记及其制造方法。

根据本发明提供的用于电子束光刻套刻的通用对准标记，包括衬底层、绝缘层和芯层；

所述绝缘层位于所述衬底层上，所述芯层位于所述绝缘层上；

所述对准标记为10-20微米的正方形阵列，周期性分布在基片上；

所述对准标记的结构贯穿芯层和绝缘层，截止在衬底层。

优选的，所述衬底层为硅、石英玻璃、二氧化硅、铌酸锂和锗中的一种或者其中几种的复合材料。

优选的，所述绝缘层为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的一种或者其中几种的复合材料。

优选的，所述芯层为二氧化硅、氮化硅、硅、铌酸锂和锗中的一种或者其中几种的复合材料。

优选的，所述周期为60微米至2毫米，所述阵列为2*2至11*11，阵列间距为500微米至1厘米。

优选的，所述正方形阵列包括第一周期阵列和第二周期阵列，所述第一周期阵列位于衬底片的边角且呈渐变式周期间距变化，所述第二周期阵列分布在中心和边角区域。

优选的，所述对准标记的布局包括：在任意面积大于1平方厘米的基片上进行周期排布。

根据本发明提供的用于电子束光刻套刻的通用对准标记的制造方法，包括：

步骤1：对芯层进行清洗，根据工艺需要选择有机湿法清洗或者无机湿法清洗；

步骤2：对清洁后的基片进行紫外掩模版光刻，根据刻蚀的深度进行光刻胶厚度的选择和对应曝光参数的设置，并进行显影；

步骤3：对显影后的基片，分别选择对应的干法等离子体刻蚀工艺对芯层、绝缘层、衬底层进行刻蚀，并实时监控刻蚀深度，将暴露的芯层和绝缘层刻穿，刻蚀至衬底层1-3微米深时停止刻蚀工艺；