[发明专利]用于电子束光刻套刻的通用对准标记及其制造方法

权利要求书

1.一种用于电子束光刻套刻的通用对准标记，其特征在于，包括衬底层、绝缘层和芯层；

所述绝缘层位于所述衬底层上，所述芯层位于所述绝缘层上；

所述对准标记为10-20微米的正方形阵列，周期性分布在基片上；

所述对准标记的结构贯穿芯层和绝缘层，截止在衬底层；

所述衬底层为硅、石英玻璃、二氧化硅、铌酸锂和锗中的一种或者其中几种的复合材料；

所述周期为60微米至2毫米，所述阵列为2*2至11*11，阵列间距为500微米至1厘米；

所述正方形阵列包括第一周期阵列和第二周期阵列，所述第一周期阵列位于衬底片的边角且呈渐变式周期间距变化，所述第二周期阵列分布在中心和边角区域。

2.根据权利要求1所述的用于电子束光刻套刻的通用对准标记，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的一种或者其中几种的复合材料。

3.根据权利要求1所述的用于电子束光刻套刻的通用对准标记，其特征在于，所述芯层为二氧化硅、氮化硅、硅、铌酸锂和锗中的一种或者其中几种的复合材料。

4.根据权利要求1所述的用于电子束光刻套刻的通用对准标记，其特征在于，所述对准标记的布局包括：在任意面积大于1平方厘米的基片上进行周期排布。

5.一种用于电子束光刻套刻的通用对准标记的制造方法，其特征在于，制造如权利要求1所述的用于电子束光刻套刻的通用对准标记，所述制造方法包括：

步骤1：对芯层进行清洗，根据工艺需要选择有机湿法清洗或者无机湿法清洗；

步骤2：对清洁后的基片进行紫外掩模版光刻，根据刻蚀的深度进行光刻胶厚度的选择和对应曝光参数的设置，并进行显影；

步骤3：对显影后的基片，分别选择对应的干法等离子体刻蚀工艺对芯层、绝缘层、衬底层进行刻蚀，并实时监控刻蚀深度，将暴露的芯层和绝缘层刻穿，刻蚀至衬底层1-3微米深时停止刻蚀工艺；

步骤4：对芯层表面进行湿法工艺清洗，根据需求选择是否进行裂片使用。