[发明专利]存储器的制作方法及存储器

说明书

本发明提供一种存储器的制作方法及存储器，涉及存储设备技术领域，用于解决存储速度和存储效率较低的技术问题，该制作方法包括：提供基底，基底内设有多个间隔设置的电容接触垫；在每个电容接触垫的第一表面上形成第一凹槽；在第一凹槽内形成导电柱，导电柱的上端面与电容接触垫的第一表面齐平；在基底上形成多个电容器，多个电容器与多个电容接触垫一一对应且电连接；每个电容器的第一极板覆盖对应的导电柱，且第一极板的材质与导电柱的材质相同。通过在电容接触垫内设置导电柱，且导电柱和第一极板材质相同，增加了导电柱和第一极板作为一个整体与电容接触垫的接触面积，减少电容器与电容接触垫的接触电阻，从而提高存储效率和存储速度。

技术领域

本发明涉及存储设备技术领域，尤其涉及一种存储器的制作方法及存储器。

背景技术

随着半导体技术和存储技术不断发展，电子设备不断向小型化、集成化方向发展，动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)因其具有较高的存储密度以及较快的读写速度被广泛地应用在各种电子设备中。动态随机存储器一般由多个存储单元组成，每个存储单元通常包括晶体管(Transistor)结构和电容(Capacitor)器。电容器存储数据信息，晶体管结构控制电容器中的数据信息的读写。

在动态随机存储器中，电容器通常设置在基底上，且与基底中的电容接触垫电连接，然而，随着尺寸微缩，电容器与电容接触垫之间的接触面积越来越小，接触电阻变大，影响存储器的存储速度和存储效率。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例提供一种存储器的制作方法及存储器，用于减小电容器与电容接触垫之间的接触电阻，提高存储器的存储速度和存储效率。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

第一方面，本发明实施例提供一种存储器的制作方法，其包括：提供基底，所述基底内设有多个间隔设置的电容接触垫；在每个所述电容接触垫的第一表面上形成第一凹槽；在所述第一凹槽内形成导电柱，所述导电柱的上端面与所述电容接触垫的第一表面齐平；在所述基底上形成多个电容器，多个所述电容器与多个所述电容接触垫一一对应且电连接；每个所述电容器的第一极板覆盖对应的所述电容接触垫内的所述导电柱，且所述第一极板的材质与所述导电柱的材质相同。

本发明实施例提供的存储器的制作方法具有如下优点：

本发明实施例提供的存储器的制作方法中，先提供基底，基底内设有多个间隔设置的电容接触垫；在每个电容接触垫的第一表面上形成第一凹槽；在第一凹槽内形成导电柱，导电柱的上端面与电容接触垫的第一表面齐平；在基底上形成多个电容器，多个电容器与多个电容接触垫一一对应且电连接；每个电容器的第一极板覆盖对应的电容接触垫内的导电柱，且第一极板的材质与导电柱的材质相同。通过在电容接触垫内设置导电柱，且导电柱和第一极板的材质相同，从而增加了导电柱和第一极板作为一个整体时与电容接触垫的接触面积，减少了电容器与电容接触垫之间的接触电阻，从而提高存储效率和存储速度。

如上所述的存储器的制作方法，所述第一凹槽的开口面积为所述电容接触垫的第一表面的面积的1/3-1/2。

如上所述的存储器的制作方法，所述第一凹槽的深度为所述电容接触垫的厚度的1/3-2/5。

如上所述的存储器的制作方法，所述第一极板的下端面的面积为对应的所述导电柱的上端面的面积的1.5-3倍。

如上所述的存储器的制作方法，在所述第一凹槽内形成导电柱的步骤包括：在所述第一凹槽内和所述基底上沉积导电材料，形成第一导电层；去除位于所述基底上的所述第一导电层，保留的所述第一导电层形成多个所述导电柱。

如上所述的存储器的制作方法，通过化学机械研磨去除位于所述基底上的所述第一导电层。