[发明专利]存储器的制作方法及存储器

权利要求书

1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内设有多个间隔设置的电容接触垫；

沿第一图案刻蚀所述电容接触垫，在每个所述电容接触垫的第一表面上形成第一凹槽；

在所述第一凹槽内形成导电柱，所述导电柱的上端面与所述电容接触垫的第一表面齐平；

在所述基底上形成多个电容器，多个所述电容器与多个所述电容接触垫一一对应且电连接；每个所述电容器的第一极板覆盖对应的所述电容接触垫内的所述导电柱，且所述第一极板的材质与所述导电柱的材质相同；

所述第一极板的下端面的面积为对应的所述导电柱的上端面的面积的1.5-3倍；

在所述基底上形成多个电容器，多个所述电容器与多个所述电容接触垫一一对应且电连接的步骤包括：

在所述基底上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述基底、所述电容接触垫和所述导电柱；

在所述阻挡层上形成第二极板，所述第二极板形成有多个第一孔洞结构，多个所述第一孔洞结构与多个所述电容接触垫一一对应；

在所述第一孔洞结构的孔壁上形成介电层，所述介电层围设成第二孔洞结构，且所述第二孔洞结构延伸至所述电容接触垫；

在所述第二孔洞结构中形成第一极板，所述第一极板与所述电容接触垫电连接，且覆盖所述导电柱；

在所述阻挡层上形成第二极板，所述第二极板形成有多个第一孔洞结构，多个所述第一孔洞结构与多个所述电容接触垫一一对应的步骤包括：

在所述阻挡层上形成第一电极层；

在所述第一电极层上形成硬掩模板层，所述硬掩模板层中形成有多个刻蚀孔，多个所述刻蚀孔与多个所述电容接触垫一一对应；

沿所述刻蚀孔刻蚀所述第一电极层，以形成所述第一孔洞结构；

去除所述硬掩模板层。

2.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的开口面积为所述电容接触垫的第一表面的面积的1/3-1/2。

3.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度为所述电容接触垫的厚度的1/3-2/5。

4.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述第一凹槽内形成导电柱的步骤包括：

在所述第一凹槽内和所述基底上沉积导电材料，形成第一导电层；

去除位于所述基底上的所述第一导电层，保留的所述第一导电层形成多个所述导电柱。

5.根据权利要求4所述的存储器的制作方法，其特征在于，通过化学机械研磨去除位于所述基底上的所述第一导电层。

6.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，在每个所述电容接触垫的第一表面上形成第一凹槽的步骤包括：

在所述基底上形成光刻胶层，所述光刻胶层具有第一图案；

沿所述第一图案刻蚀所述电容接触垫，在所述电容接触垫的第一表面上形成所述第一凹槽；

去除所述光刻胶层。

7.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述第一孔洞结构的孔壁上形成介电层，所述介电层围设成第二孔洞结构，且所述第二孔洞结构延伸至所述电容接触垫的步骤包括：

在所述第一孔洞结构的孔壁和孔底、以及所述第二极板上沉积所述介电层，位于所述第一孔洞结构内的所述介电层围设成所述第二孔洞结构；

保留位于所述第一孔洞结构的孔壁的所述介电层，去除其余的所述介电层，所述第二孔洞结构暴露出所述阻挡层；

去除部分所述阻挡层，以在所述第二孔洞结构中暴露出所述电容接触垫和所述导电柱。