[发明专利]真空镀膜装置在审
申请号: | 202110403939.2 | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN112795896A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 张永胜;解传佳;彭孝龙;吴超;季京辉;董刚强;孟冬冬 | 申请(专利权)人: | 苏州迈为科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C14/34 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘宁 |
地址: | 215200 江苏省苏州市吴江区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空镀膜 装置 | ||
本发明涉及一种真空镀膜装置,包括腔体、承载单元及至少一个导电单元,其中,腔体具有相连接的第一侧壁、第二侧壁及与第二侧壁相对设置的第三侧壁,第一侧壁连接第二侧壁及第三侧壁,第一侧壁上开设有入口,用于承载单元可移动地通过入口输送至腔体内,且包括托盘及嵌设于托盘上的多个基板;导电单元设置于第二侧壁或第三侧壁上,且在靠近入口上方一侧具有伸入至腔体内部的接触组件,接触组件可抵接于托盘上,且在抵接时电性连接,继而偏压由导电单元导入,通过托盘传递至基板上,优化基板上的镀膜质量,该真空镀膜装置结构简单,且性能稳定,适合大规模推广应用。
技术领域
本发明涉及真空镀膜设备技术领域,特别是涉及一种真空镀膜装置。
背景技术
随着镀膜技术的不断发展,人们对于工件表面的镀膜质量要求不断提高,对真空镀膜设备进行偏压设计,偏压的主要作用是给离子一个附加的能量,使膜层沉积的更加致密,加快沉积速率等,优化工件表面镀膜质量。
现有技术主要是针对静态镀膜设备,即在溅射过程中,靶材与基板处于静止状态进行薄膜沉积,偏压电源正极连接接地腔体,偏压电源负极接基片底座,等离子电源正极连接接地腔体或单独的阳极,等离子电源负极接阴极靶材,实现气体击穿形成等离子体轰击靶材,靶材原子/分子脱离靶面沉积到基片表面,实现纳米级真空镀膜,而在连续动态镀膜过程中,基板相对靶材移动,偏压电源负极无法固定于基片底座上。
发明内容
基于此,有必要针对很少有用于连续动态真空镀膜设备的偏压设计的问题,提供一种真空镀膜装置。
一种真空镀膜装置,包括腔体、承载单元及至少一个导电单元,其中:
所述腔体具有第一侧壁、第二侧壁及与所述第二侧壁相对设置的第三侧壁,所述第一侧壁连接所述第二侧壁及所述第三侧壁,所述第一侧壁上开设有入口;
所述承载单元可移动地通过所述入口输送至所述腔体内,且包括托盘及嵌设于所述托盘上的多个基板;
所述导电单元设置于所述第二侧壁或所述第三侧壁上,且在靠近所述入口上方一侧具有伸入至腔体内部的接触组件,所述接触组件可抵接于所述托盘上,且在抵接时电性连接。
上述真空镀膜装置,腔体具有相连接的第一侧壁、第二侧壁及与第二侧壁相对设置的第三侧壁,第一侧壁连接第二侧壁及第三侧壁,在第一侧壁上开设有入口,用于承载单元可移动地通过入口输送至腔体内,承载单元包括有托盘与基板,基板嵌设于托盘上,用于实现基板的固定,导电单元设置于第二侧壁或第三侧壁上,实现导电单元与腔体的固定安装,在靠近入口上方一侧具有伸入至腔体内部的接触组件,接触组件可抵接于托盘上,且接触组件抵接于托盘上时,接触组件与托盘电性连接,继而偏压由导电单元导入,通过托盘传递至基板上,优化基板上的镀膜质量,该真空镀膜装置结构简单,且性能稳定,适合大规模推广应用。
在其中一个实施例中,所述接触组件为柔性导电体,且为导电弹簧、导电片、高弹性导电弹簧中的一种或多种。
在其中一个实施例中,所述第二侧壁与所述第三侧壁对称连接于所述第一侧壁,所述接触组件为两组,且分别位于所述第二侧壁与第三侧壁上。
在其中一个实施例中,所述导电单元还包括电源输出组件与馈入电极,所述电源输出组件位于所述腔体外部,所述馈入电极嵌设于所述第二侧壁或第三侧壁上,其一端与所述电源输出组件电连接,另一端与所述接触组件电连接。
在其中一个实施例中,还包括传动单元,所述传动单元与所述承载单元滚动接触,用于驱动所述承载单元在所述腔体内部移动。
在其中一个实施例中,所述传动单元包括主动轮及与所述主动轮平行设置的从动轮,所述主动轮与所述托盘滚动接触,所述从动轮与所述托盘滚动接触。
在其中一个实施例中,所述主动轮与所述从动轮上均设置有绝缘O型圈,所述绝缘O型圈与所述托盘滚动接触。
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