[发明专利]真空镀膜装置在审

专利信息
申请号: 202110403939.2 申请日: 2021-04-15
公开(公告)号: CN112795896A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 张永胜;解传佳;彭孝龙;吴超;季京辉;董刚强;孟冬冬 申请(专利权)人: 苏州迈为科技股份有限公司
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56;C23C14/34
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 刘宁
地址: 215200 江苏省苏州市吴江区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 真空镀膜 装置
【说明书】:

发明涉及一种真空镀膜装置,包括腔体、承载单元及至少一个导电单元,其中,腔体具有相连接的第一侧壁、第二侧壁及与第二侧壁相对设置的第三侧壁,第一侧壁连接第二侧壁及第三侧壁,第一侧壁上开设有入口,用于承载单元可移动地通过入口输送至腔体内,且包括托盘及嵌设于托盘上的多个基板;导电单元设置于第二侧壁或第三侧壁上,且在靠近入口上方一侧具有伸入至腔体内部的接触组件,接触组件可抵接于托盘上,且在抵接时电性连接,继而偏压由导电单元导入,通过托盘传递至基板上,优化基板上的镀膜质量,该真空镀膜装置结构简单,且性能稳定,适合大规模推广应用。

技术领域

本发明涉及真空镀膜设备技术领域,特别是涉及一种真空镀膜装置。

背景技术

随着镀膜技术的不断发展,人们对于工件表面的镀膜质量要求不断提高,对真空镀膜设备进行偏压设计,偏压的主要作用是给离子一个附加的能量,使膜层沉积的更加致密,加快沉积速率等,优化工件表面镀膜质量。

现有技术主要是针对静态镀膜设备,即在溅射过程中,靶材与基板处于静止状态进行薄膜沉积,偏压电源正极连接接地腔体,偏压电源负极接基片底座,等离子电源正极连接接地腔体或单独的阳极,等离子电源负极接阴极靶材,实现气体击穿形成等离子体轰击靶材,靶材原子/分子脱离靶面沉积到基片表面,实现纳米级真空镀膜,而在连续动态镀膜过程中,基板相对靶材移动,偏压电源负极无法固定于基片底座上。

发明内容

基于此,有必要针对很少有用于连续动态真空镀膜设备的偏压设计的问题,提供一种真空镀膜装置。

一种真空镀膜装置,包括腔体、承载单元及至少一个导电单元,其中:

所述腔体具有第一侧壁、第二侧壁及与所述第二侧壁相对设置的第三侧壁,所述第一侧壁连接所述第二侧壁及所述第三侧壁,所述第一侧壁上开设有入口;

所述承载单元可移动地通过所述入口输送至所述腔体内,且包括托盘及嵌设于所述托盘上的多个基板;

所述导电单元设置于所述第二侧壁或所述第三侧壁上,且在靠近所述入口上方一侧具有伸入至腔体内部的接触组件,所述接触组件可抵接于所述托盘上,且在抵接时电性连接。

上述真空镀膜装置,腔体具有相连接的第一侧壁、第二侧壁及与第二侧壁相对设置的第三侧壁,第一侧壁连接第二侧壁及第三侧壁,在第一侧壁上开设有入口,用于承载单元可移动地通过入口输送至腔体内,承载单元包括有托盘与基板,基板嵌设于托盘上,用于实现基板的固定,导电单元设置于第二侧壁或第三侧壁上,实现导电单元与腔体的固定安装,在靠近入口上方一侧具有伸入至腔体内部的接触组件,接触组件可抵接于托盘上,且接触组件抵接于托盘上时,接触组件与托盘电性连接,继而偏压由导电单元导入,通过托盘传递至基板上,优化基板上的镀膜质量,该真空镀膜装置结构简单,且性能稳定,适合大规模推广应用。

在其中一个实施例中,所述接触组件为柔性导电体,且为导电弹簧、导电片、高弹性导电弹簧中的一种或多种。

在其中一个实施例中,所述第二侧壁与所述第三侧壁对称连接于所述第一侧壁,所述接触组件为两组,且分别位于所述第二侧壁与第三侧壁上。

在其中一个实施例中,所述导电单元还包括电源输出组件与馈入电极,所述电源输出组件位于所述腔体外部,所述馈入电极嵌设于所述第二侧壁或第三侧壁上,其一端与所述电源输出组件电连接,另一端与所述接触组件电连接。

在其中一个实施例中,还包括传动单元,所述传动单元与所述承载单元滚动接触,用于驱动所述承载单元在所述腔体内部移动。

在其中一个实施例中,所述传动单元包括主动轮及与所述主动轮平行设置的从动轮,所述主动轮与所述托盘滚动接触,所述从动轮与所述托盘滚动接触。

在其中一个实施例中,所述主动轮与所述从动轮上均设置有绝缘O型圈,所述绝缘O型圈与所述托盘滚动接触。

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