[发明专利]带浮栅的分离栅平面型MOSFET器件

权利要求书

1.一种带浮栅的分离栅平面型MOSFET器件，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型衬底（1），重掺杂第一导电类型衬底（1）上方的第一导电类型漂移区（2），第一导电类型漂移区（2）内部左右两侧设有第二导电类型半导体阱区（3），第二导电类型半导体阱区（3）内顶部并排设置相接触的重掺杂第一导电类型源区（5）和重掺杂第二导电类型欧姆接触区（4），且第二导电类型半导体阱区（3）顶部未被重掺杂第一导电类型源区（5）和重掺杂第二导电类型欧姆接触区（4）覆盖的地方形成沟道区；沟道区的上方设有多晶硅栅电极（6），所述多晶硅栅电极（6）的横向长度长于沟道区的横向长度并且覆盖整个沟道区，多晶硅栅电极（6）与其下方半导体区由第一介质层（7）隔开；多晶硅浮栅（9）位于两个多晶硅栅电极（6）的正中间，其下方由第二介质层（8）与半导体区隔开；多晶硅栅电极（6）、多晶硅浮栅（9）、源极金属（11）三者之间由第三介质层（10）隔开；源极金属（11）覆盖整个重掺杂第二导电类型欧姆接触区（4）以及部分重掺杂第一导电类型源区（5）；

多晶硅浮栅（9）形状为单阶梯形或多阶梯形，单阶梯形包括1个阶梯，多阶梯形包括2个以上的阶梯，多晶硅浮栅（9）数量为多个并沿沟道区长度方向分布。

2.根据权利要求1所述的一种带浮栅的分离栅平面型MOSFET器件，其特征在于：多晶硅浮栅（9）下方的第二介质层（8）的厚度大于或等于多晶硅栅电极（6）下方的第一介质层（7）的厚度。

3.根据权利要求1所述的一种带浮栅的分离栅平面型MOSFET器件，其特征在于：第三介质层（10）使用材料为二氧化硅或介电常数低于二氧化硅的低K介质。

4.根据权利要求1所述的一种带浮栅的分离栅平面型MOSFET器件，其特征在于：器件中的半导体材料为硅或碳化硅或砷化镓或磷化铟或锗硅。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的一种带浮栅的分离栅平面型MOSFET器件，其特征在于：第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；或第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。