[发明专利]一种MPCVD设备温度控制装置及控制方法

说明书

本发明公开了一种MPCVD设备温度控制装置及控制方法，该温度控制装置包括基片台、底座，所述底座设置在基片台下方，底座内设置有感应组件、冷却组件，所述感应组件与基片台固定，所述冷却组件与基片台管道连接，所述感应组件连接有控制系统。感应组件通过塞贝克效应对基片台各个区域的温度进行监测，并将监测时产生的电流传输到控制系统中，控制系统根据电流大小对冷却组件中水流的流速进行控制，基片台温度越高，冷却水的流速就越大，冷却组件对基片台各个区域的温度进行调节，从而实现基片台局部温度的调节。

技术领域

本发明涉及MPCVD设备技术领域，具体为一种MPCVD设备温度控制装置及控制方法。

背景技术

MPCVD设备是一种常见的气相沉积设备，特别是在金刚石的生产中，MPCVD设备通过等离子体在基片台上的基片表面沉积金刚石。为实现批量生产，会按照阵列的方式在基片台上放置基片，同时为了实现金刚石在各个基片表面均匀沉积，会要求各个基片的上表面温度在金刚石的生长过程尽量保持一致。

现有技术在基片台上配置加热器，并通过加热器来实现基片温度的控制；但是，加热器是对整个基片台进行控温，并无法实现对基片台某一区域的温度控制。此加热方式仅适用于制备金刚石薄膜，不能精准控制基片台各个区域的散热以及调控各个基片的温度，加热器并不能使得所有基片温度保持一致。

因此，人们需要一种MPCVD设备温度控制装置及控制方法来解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种MPCVD设备温度控制装置及控制方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种MPCVD设备温度控制装置，该温度控制装置包括基片台、底座，所述底座设置在基片台下方，底座内设置有感应组件、冷却组件，所述感应组件与基片台固定，所述冷却组件与基片台管道连接，所述感应组件连接有控制系统。感应组件通过塞贝克效应对基片台各个区域的温度进行监测，并将监测时产生的电流传输到控制系统中，控制系统根据电流大小对冷却组件中水流的流速进行控制，基片台温度越高，冷却水的流速就越大，冷却组件对基片台各个区域的温度进行调节，从而实现基片台局部温度的调节。

所述基片台包括若干组基片；所述感应组件包括若干组感应板，每组所述感应板分别对应设置在每组基片的下方，每组所述感应板下方均设置有转接箱，每组所述转接箱均与控制系统电性连接；所述冷却组件包括若干组基舱，每组所述基舱分别对应设置在每组转接箱的下方，每组所述基舱上均设置有传输管，所述传输管的另一端依次经过转接箱、感应板并与基片管道连接，每组所述基片远离传输管的一端设置有出水支管。若干组基片组成基片台，每组基片下方均安装有感应板，感应板对基片上的温度进行监测，并通过塞贝克效应产生电流，转接箱与感应板电性连接，转接箱连接外部控制系统，控制系统对感应板产生的电流大小进行检测，并通过电流大小得知基片温度的高低，控制系统并对流入转接箱中的电流大小进行调节，转接箱通过从控制系统处流入的电流对传输管中的冷却水进行再次调节，基舱作为冷却水进入传输管的中转舱，转接箱控制基舱内部的水压，使基舱内部水压变大或变小，使传输管中的水流流速变大或减小。本控制装置通过加快冷却水的流速以及降低冷却水的温度，从而达到快速降低基片温度的效果，每一个感应板监测一个基片，每一个基舱连接一个基片，通过多对一的方式，实现对每一个基片温度的精准控制，通过若干组感应板和基舱的设置，从而实现对基片台每一个区域温度的精准控制。