[发明专利]一种引线框架及制造引线框架的方法

说明书

本发明涉及引线框架制造技术领域，尤其涉及一种引线框架及制造引线框架的方法，该引线框架按质量百分比计包括以下原料：Mn：0.2%～0.4%、Si：0.3%～0.6%、Ni：2.5%～3.0%、Zn：1.2%～1.6%、Fe：0.12%～0.18%、稀土Y：0.001%～0.008%、稀土Ce：0.012%～0.024%、改性玻璃粉：0.5%～0.9%、聚吡咯添加剂0.3%～0.9%，余量为Cu，且其制造方法包括以下步骤：S1、按照上述配方称取原料，并于在中频感应炉中，按照Cu、Mn、Si、Ni+Zn、Fe、稀土Y、稀土Ce的顺序在氩气保护下熔炼，并于温度升至120℃时，加入改性玻璃粉和聚吡咯添加剂继续熔炼，随后再用铁模铸成板坯。本发明不仅能够提高该引线框架的耐划伤性能，而且还有助于该框架更好地进行散热。

技术领域

本发明涉及引线框架制造技术领域，尤其涉及一种引线框架及制造引线框架的方法。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，是形成电气回路的关键结构件。引线框架用金属导电片代替常规的导线或线路板，起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中均需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。

但是，在引线框架的使用过程中，很容易出现在其表面被划伤的情况，而且当其长时间工作后，本体的温度会急剧上升，散热效果差。因此，我们提出了一种引线框架及制造引线框架的方法用于解决上述问题。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种引线框架及制造引线框架的方法。

一种引线框架，按质量百分比计包括以下原料：Mn：0.2%～0.4%、Si：0.3%～0.6%、Ni：2.5%～3.0%、Zn：1.2%～1.6%、Fe：0.12%～0.18%、稀土Y：0.001%～0.008%、稀土Ce：0.012%～0.024%、改性玻璃粉：0.5%～0.9%、聚吡咯添加剂0.3%～0.9%，余量为Cu。

优选的，所述改性玻璃粉由玻璃粉、去离子水和晶须为原料，硅烷偶联剂KH550为助剂制备而成。

优选的，所述改性玻璃粉的制备方法为：将玻璃粉和晶须混合加热至50℃后，再加入硅烷偶联剂KH550和去离子水搅拌均匀得半成品，将半成品投入挤出机中挤出，即得改性玻璃粉。

优选的，所述聚吡咯添加剂由聚吡咯、乙腈和环氧树脂为原料，硅烷偶联剂KH560为助剂制备而成。

优选的，所述聚吡咯添加剂的制备方法为：将聚吡咯、乙腈和环氧树脂混合加热至50℃后，再加入硅烷偶联剂KH550搅拌均匀，随后令其在150℃的温度下进行水浴加热15min后即得聚吡咯添加剂。

一种引线框架的制造方法，包括以下步骤：

S1、按照上述配方称取原料，并于在中频感应炉中，按照Cu、Mn、Si、Ni+Zn、Fe、稀土Y、稀土Ce的顺序在氩气保护下熔炼，并于温度升至120℃时，加入改性玻璃粉和聚吡咯添加剂继续熔炼，随后再用铁模铸成板坯；

S2、将板坯使用锯床锯切成铸锭，随后将其在加热炉上以800℃均化2～3小时，放入水中急冷，除去表面缺陷后，得棒状的粗坯；

S3、将粗坯采用水洗去除表面杂质，采用超声波对粗坯进行无损探伤，再令粗坯经头尾锯切、矫直、复检后得到半成品A；

S4、将半成品A进行冷轧，再用箱式电阻炉在900℃下退火1h进行固溶处理，然后经水淬后得到半成品B；

S5、对半成品B进行拉拔—退火—拉拔，反复3～5次，直到引线线径达到2.2～2.5mm，根据使用需要进行切割，形成包括一个或多个呈矩阵排列的功能单元的引线框架。

优选的，所述S1中熔炼温度为1200℃～1250℃。