[发明专利]一种色转换层的像素隔离矩阵结构及方法在审
申请号: | 202110398094.2 | 申请日: | 2021-04-14 |
公开(公告)号: | CN113299695A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 陈恩果;张翔;杨涛;曹项红;徐胜;叶芸;郭太良 | 申请(专利权)人: | 福州大学;闽都创新实验室 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 陈鼎桂;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转换 像素 隔离 矩阵 结构 方法 | ||
1.一种色转换层的像素隔离矩阵结构,其特征在于,包括隔离矩阵基底、第一膜系、第二膜系和第三膜系;所述第一膜系镀于基底外表面;所述第二膜系和第三膜系依次镀于基底内表面;所述第一膜系为红、绿光反射膜系,第二膜系为蓝光透射膜系,第三膜系为蓝光反射膜系。
2.根据权利要求1所述的一种色转换层的像素隔离矩阵结构,其特征在于,所述第一膜系、第二膜系和第三膜系均由多个单层膜组成。
3.根据权利要求2所述的一种色转换层的像素隔离矩阵结构,其特征在于,所述各单层膜的厚度由下式确定:
第一膜系,单层膜膜厚定义式为
e1=(kλR/G-△′)/2n
第二膜系,单层膜膜厚定义式为
第三膜系,单层膜膜厚定义式为
e3=(kλB-△′)/2n
式中,n表示膜的折射率,e1、e2、e3分别表示三种膜系内单层膜的厚度,△'表示半波损失值,λR、λG、λB分别为显示用到的三基色光确定的所覆盖的波段范围内的波长;k为正整数。
4.根据权利要求2所述的一种色转换层的像素隔离矩阵结构,其特征在于,所述膜系层数m由各个膜系中所控制的波长上下限范围[λLow,λHigh]和波长间隔a决定,满足下式:
确定三层膜系分别的波长范围[λR_Low,λR_High],[λG_Low,λG_High],[λB_Low,λB_High];a为波长间隔。
5.一种色转换层的像素隔离矩阵结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤,
步骤S1:根据光源和色转换层确定隔离矩阵基底的外形结构参数;
步骤S2:选定隔离矩阵基底材料以及各个膜系中单层膜层材料;隔离矩阵和显示面板基底材料需要允许光源光的透过,选定膜层材料的折射率需要满足薄膜干涉的折射率要求,半波损失值将由各个膜层的折射率决定;
步骤S3:根据显示器所用三基色发光特性、三基色光谱的峰宽和中心波长,计算获得三基色光谱,取光谱数值大于10-4,选定波段间隔a,确定波段范围。
步骤S4:计算第一膜系集合的各单层膜厚度;根据S3得到的红光和绿光波段范围,将红光和绿光波长分别带入第一膜系膜厚定义式,求得适合的红光和绿光反射膜膜层厚度,得到第一膜系集合。同理,根据S3得到的蓝光波长范围,将蓝光波长分别代第二膜系和第三膜系膜厚定义式,求得适合的透射膜和反射膜膜层厚度,得到第二膜系集合和第三膜系集合;镀膜厚度e与层数m由S4的膜系中的各单层膜厚和选用的波长间隔决定。
S5:将第一膜系、第二膜系和第三膜系分别镀于基底上,制备隔离矩阵结构。
6.根据权利要求5所述的一种色转换层的像素隔离矩阵结构的制备方法,其特征在于,所外形结构参数包括上下底面尺寸、隔离矩阵高度、倾斜角度、斜率大小,其中上底面朝向显示出射光方向一侧底面,下底面为朝向显示发光源一侧底面,倾斜角度定义为隔离矩阵与子像素密接的侧边与下底面的夹角,斜率定义为倾斜角度的正切值。
7.根据权利要求5所述的一种色转换层的像素隔离矩阵结构的制备方法,其特征在于,所述隔离矩阵为灯罩式结构,上底面与侧闭封闭,下底面敞开,内部中空,基底厚度一定,其制作成型于显示面板基底上,并与显示面板形成一体化或分离结构,单个隔离矩阵位于相邻子像素之间,高度大于或等于相邻色转换层的高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的