[发明专利]一种色转换层的像素隔离矩阵结构及方法在审

专利信息
申请号: 202110398094.2 申请日: 2021-04-14
公开(公告)号: CN113299695A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 陈恩果;张翔;杨涛;曹项红;徐胜;叶芸;郭太良 申请(专利权)人: 福州大学;闽都创新实验室
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 陈鼎桂;蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 转换 像素 隔离 矩阵 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种色转换层的像素隔离矩阵结构,其特征在于,包括隔离矩阵基底、第一膜系、第二膜系和第三膜系;所述第一膜系镀于基底外表面;所述第二膜系和第三膜系依次镀于基底内表面;所述第一膜系为红、绿光反射膜系,第二膜系为蓝光透射膜系,第三膜系为蓝光反射膜系。

2.根据权利要求1所述的一种色转换层的像素隔离矩阵结构,其特征在于,所述第一膜系、第二膜系和第三膜系均由多个单层膜组成。

3.根据权利要求2所述的一种色转换层的像素隔离矩阵结构,其特征在于,所述各单层膜的厚度由下式确定:

第一膜系,单层膜膜厚定义式为

e1=(kλR/G-△′)/2n

第二膜系,单层膜膜厚定义式为

第三膜系,单层膜膜厚定义式为

e3=(kλB-△′)/2n

式中,n表示膜的折射率,e1、e2、e3分别表示三种膜系内单层膜的厚度,△'表示半波损失值,λR、λG、λB分别为显示用到的三基色光确定的所覆盖的波段范围内的波长;k为正整数。

4.根据权利要求2所述的一种色转换层的像素隔离矩阵结构,其特征在于,所述膜系层数m由各个膜系中所控制的波长上下限范围[λLow,λHigh]和波长间隔a决定,满足下式:

确定三层膜系分别的波长范围[λR_Low,λR_High],[λG_Low,λG_High],[λB_Low,λB_High];a为波长间隔。

5.一种色转换层的像素隔离矩阵结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤,

步骤S1:根据光源和色转换层确定隔离矩阵基底的外形结构参数;

步骤S2:选定隔离矩阵基底材料以及各个膜系中单层膜层材料;隔离矩阵和显示面板基底材料需要允许光源光的透过,选定膜层材料的折射率需要满足薄膜干涉的折射率要求,半波损失值将由各个膜层的折射率决定;

步骤S3:根据显示器所用三基色发光特性、三基色光谱的峰宽和中心波长,计算获得三基色光谱,取光谱数值大于10-4,选定波段间隔a,确定波段范围。

步骤S4:计算第一膜系集合的各单层膜厚度;根据S3得到的红光和绿光波段范围,将红光和绿光波长分别带入第一膜系膜厚定义式,求得适合的红光和绿光反射膜膜层厚度,得到第一膜系集合。同理,根据S3得到的蓝光波长范围,将蓝光波长分别代第二膜系和第三膜系膜厚定义式,求得适合的透射膜和反射膜膜层厚度,得到第二膜系集合和第三膜系集合;镀膜厚度e与层数m由S4的膜系中的各单层膜厚和选用的波长间隔决定。

S5:将第一膜系、第二膜系和第三膜系分别镀于基底上,制备隔离矩阵结构。

6.根据权利要求5所述的一种色转换层的像素隔离矩阵结构的制备方法,其特征在于,所外形结构参数包括上下底面尺寸、隔离矩阵高度、倾斜角度、斜率大小,其中上底面朝向显示出射光方向一侧底面,下底面为朝向显示发光源一侧底面,倾斜角度定义为隔离矩阵与子像素密接的侧边与下底面的夹角,斜率定义为倾斜角度的正切值。

7.根据权利要求5所述的一种色转换层的像素隔离矩阵结构的制备方法,其特征在于,所述隔离矩阵为灯罩式结构,上底面与侧闭封闭,下底面敞开,内部中空,基底厚度一定,其制作成型于显示面板基底上,并与显示面板形成一体化或分离结构,单个隔离矩阵位于相邻子像素之间,高度大于或等于相邻色转换层的高度。

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