[发明专利]一种电子元件的消泡型封装工艺有效
申请号: | 202110396780.6 | 申请日: | 2021-04-14 |
公开(公告)号: | CN113270330B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 汤雪蜂 | 申请(专利权)人: | 深圳市智楠科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市洪荒之力专利代理有限公司 44541 | 代理人: | 李青 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子元件 消泡型 封装 工艺 | ||
1.一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:包括以下步骤:
S1、首先将芯片安装在基板上,然后在芯片上方铺上一层内呼吸动球;
S2、对内呼吸动球进行位置的预处理,然后进行分层浇注环氧树脂;
S3、进行第一层的环氧树脂的浇注,浇筑后对基板的下方进行加热处理,使内呼吸动球膨胀,再进行急降温处理,使内呼吸动球恢复原状;依次多次重复加热和急降温的处理,使内呼吸动球不断重复膨胀-复原的过程,呈现“呼吸”态,从内部对环氧树脂起到震动的作用,消除环氧树脂内部的空隙;
S4、第一层环氧树脂冷却定型后,进行第二层的环氧树脂的浇注,浇注后自然冷却,完成电子元件的封装。
2.根据权利要求1所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述步骤S3中加热和急降温处理的重复次数不少于5次。
3.根据权利要求2所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述加热和急降温处理每次重复的间隔不低于10秒。
4.根据权利要求3所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述加热的温度为90-110℃,急降温处理的降温速度为5-8℃/s,且急降温处理后的最终温度为20-25℃。
5.根据权利要求1所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述步骤S2中内呼吸动球位置的预处理操作包括以下步骤:
S21、在内呼吸动球铺好后,使用磁板在基板下方来回移动,然后将磁板临时固定下基板下;
S22、然后通过绝缘瓷杆拨动内呼吸动球,引导内呼吸动球的光滑端与芯片接触,非光滑端向上排列,直至内呼吸动球铺匀。
6.根据权利要求5所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述铺匀的标准为:芯片表面没有明显的空隙以及没有多个内呼吸动球叠在一起。
7.根据权利要求1所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述内呼吸动球包括外球壳(1)以及固定连接在外球壳(1)内底端的内呼吸球芯(2),所述内呼吸球芯(2)内部填充有铁粉与高导热气体的混合物,所述外球壳(1)和内呼吸球芯(2)之间的空隙内饱和填充有绝缘油。
8.根据权利要求7所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述高导热气体饱和填充,所述铁粉的体积为内呼吸球芯(2)内容积的1/3-1/2。
9.根据权利要求7所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述外球壳(1)外端固定连接有多个均匀分布的外挤压球(4),所述外挤压球(4)内饱和填充有惰性气体,所述外挤压球(4)与内呼吸球芯(2)之间固定连接有拉绳(3)。
10.根据权利要求9所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述内呼吸球芯(2)、拉绳(3)和外挤压球(4)均为弹性材料制成,所述外球壳(1)为硬质密封材料制成,且拉绳(3)处于绷直状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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