[发明专利]一种电子元件的消泡型封装工艺有效

专利信息
申请号: 202110396780.6 申请日: 2021-04-14
公开(公告)号: CN113270330B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 汤雪蜂 申请(专利权)人: 深圳市智楠科技有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/67
代理公司: 深圳市洪荒之力专利代理有限公司 44541 代理人: 李青
地址: 518000 广东省深圳市龙岗*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电子元件 消泡型 封装 工艺
【权利要求书】:

1.一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:包括以下步骤:

S1、首先将芯片安装在基板上,然后在芯片上方铺上一层内呼吸动球;

S2、对内呼吸动球进行位置的预处理,然后进行分层浇注环氧树脂;

S3、进行第一层的环氧树脂的浇注,浇筑后对基板的下方进行加热处理,使内呼吸动球膨胀,再进行急降温处理,使内呼吸动球恢复原状;依次多次重复加热和急降温的处理,使内呼吸动球不断重复膨胀-复原的过程,呈现“呼吸”态,从内部对环氧树脂起到震动的作用,消除环氧树脂内部的空隙;

S4、第一层环氧树脂冷却定型后,进行第二层的环氧树脂的浇注,浇注后自然冷却,完成电子元件的封装。

2.根据权利要求1所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述步骤S3中加热和急降温处理的重复次数不少于5次。

3.根据权利要求2所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述加热和急降温处理每次重复的间隔不低于10秒。

4.根据权利要求3所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述加热的温度为90-110℃,急降温处理的降温速度为5-8℃/s,且急降温处理后的最终温度为20-25℃。

5.根据权利要求1所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述步骤S2中内呼吸动球位置的预处理操作包括以下步骤:

S21、在内呼吸动球铺好后,使用磁板在基板下方来回移动,然后将磁板临时固定下基板下;

S22、然后通过绝缘瓷杆拨动内呼吸动球,引导内呼吸动球的光滑端与芯片接触,非光滑端向上排列,直至内呼吸动球铺匀。

6.根据权利要求5所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述铺匀的标准为:芯片表面没有明显的空隙以及没有多个内呼吸动球叠在一起。

7.根据权利要求1所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述内呼吸动球包括外球壳(1)以及固定连接在外球壳(1)内底端的内呼吸球芯(2),所述内呼吸球芯(2)内部填充有铁粉与高导热气体的混合物,所述外球壳(1)和内呼吸球芯(2)之间的空隙内饱和填充有绝缘油。

8.根据权利要求7所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述高导热气体饱和填充,所述铁粉的体积为内呼吸球芯(2)内容积的1/3-1/2。

9.根据权利要求7所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述外球壳(1)外端固定连接有多个均匀分布的外挤压球(4),所述外挤压球(4)内饱和填充有惰性气体,所述外挤压球(4)与内呼吸球芯(2)之间固定连接有拉绳(3)。

10.根据权利要求9所述的一种电子元件的消泡型封装工艺,其特征在于:所述内呼吸球芯(2)、拉绳(3)和外挤压球(4)均为弹性材料制成,所述外球壳(1)为硬质密封材料制成,且拉绳(3)处于绷直状态。

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