[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，还包括：基板；若干薄膜晶体管，设于所述基板上，且位于所述显示区，所述薄膜晶体管包括栅极层；第一金属层，设于所述基板上，且位于所述邦定区，第一金属层和所述栅极层同时制备成型，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板一侧的材料为钼、钛、钼钛合金中的至少一种。本发明的有益效果在于：本发明的阵列基板及其制备方法将邦定区的第一金属层采用三层金属叠层结构，具有耐酸性蚀刻液腐蚀的特性，提升了邦定时的可靠性。

技术领域

本申请涉及面板领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

大尺寸OLED背板为减少走线阻抗采用铜走线作为栅极/源极/漏极，铜稳定性差，暴露在外部环境时容易氧化，因此不能直接用作邦定区邦定：

1.对于底发光大尺寸OLED背板邦定区邦定通常使用阳极ITO(氧化铟锡)将铜覆盖住，邦定区邦定为ITO+铜，ITO可靠性较好，目前底发光量产品均为此结构。

2.但对于顶发光大尺寸OLED背板，阳极为反射金属层+ITO，一般是银or铝(反射率较高应用于目前的顶发光反射金属)，①由于反射金属的蚀刻液(HNO3,H3PO4等)对铜有严重腐蚀；②反射金属稳定性同样不佳，不能满足邦定区邦定的可靠性需求；因此顶发光大尺寸OLED背板的邦定区邦定设计需要检讨方案。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板，包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，还包括：基板；若干薄膜晶体管，设于所述基板上，且位于所述显示区，所述薄膜晶体管包括栅极层；第一金属层，设于所述基板上，且位于所述邦定区，所述第一金属层和所述栅极层同时制备成型，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板一侧的材料为钼、钛、钼钛合金中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括：有源层，设于所述基板上；栅极绝缘层，设于所述有源层上，所述栅极层设于所述栅极绝缘层上；介电层，设于所述基板上，并覆盖所述有源层和所述栅极层，所述介电层自所述显示区延伸至所述邦定区，并覆盖所述第一金属层；源漏电极，设于所述介电层远离所述基板的一侧表面，所述源漏电极贯穿所述介电层并连接至所述有源层。

可选的，在本申请的一些实施例中，阵列基板还包括：钝化层，设于所述介电层远离所述基板的一侧表面，且覆盖所述源漏电极，并从所述显示区延伸至所述邦定区；平坦层，设于所述钝化层远离所述介电层的一侧表面，且从所述显示区延伸至所述邦定区，在所述平坦层对应所述第一金属层处设有一开孔，所述开孔贯穿所述平坦层、所述钝化层和所述介电层；像素电极，设于所述平坦层远离所述钝化层的一侧表面，所述像素电极部分贯穿所述平坦层和所述钝化层，连接至所述源漏电极；挡墙，设于所述平坦层远离所述钝化层的一侧表面，且覆盖所述像素电极，所述挡墙对应所述像素电极处设有像素开孔；发光层，设于所述像素开孔内，并连接至所述像素电极。

可选的，在本申请的一些实施例中，阵列基板还包括遮光金属层，设于所述基板上，所述遮光金属层对应所述有源层；缓冲层，设于所述衬底上，且覆盖所述遮光金属层，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设于所述缓冲层上。

相应的，本申请实施例还包括一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板制备若干薄膜晶体管，所述薄膜晶体管对应所述显示区；在制备所述薄膜晶体管的栅极层时，在所述邦定区同时制备第一金属层，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板的一侧为钼、钛或钼钛合金材料。