[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，其特征在于，还包括：

基板；

若干薄膜晶体管，设于所述基板上，且位于所述显示区，所述薄膜晶体管包括栅极层；

第一金属层，设于所述基板上，且位于所述邦定区，所述第一金属层和所述栅极层同时制备成型，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板一侧的材料为钼、钛、钼钛合金中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述薄膜晶体管还包括：

有源层，设于所述基板上；

栅极绝缘层，设于所述有源层上，所述栅极层设于所述栅极绝缘层上；

介电层，设于所述基板上，并覆盖所述有源层和所述栅极层，所述介电层自所述显示区延伸至所述邦定区，并覆盖所述第一金属层；

源漏电极，设于所述介电层远离所述基板的一侧表面，所述源漏电极贯穿所述介电层并连接至所述有源层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

钝化层，设于所述介电层远离所述基板的一侧表面，且覆盖所述源漏电极，并从所述显示区延伸至所述邦定区；

平坦层，设于所述钝化层远离所述介电层的一侧表面，且从所述显示区延伸至所述邦定区，在所述平坦层对应所述第一金属层处设有一开孔，所述开孔贯穿所述平坦层、所述钝化层和所述介电层；

像素电极，设于所述平坦层远离所述钝化层的一侧表面，所述像素电极部分贯穿所述平坦层和所述钝化层，连接至所述源漏电极；

挡墙，设于所述平坦层远离所述钝化层的一侧表面，且覆盖所述像素电极，所述挡墙对应所述像素电极处设有像素开孔；

发光层，设于所述像素开孔内，并连接至所述像素电极。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括

遮光金属层，设于所述基板上，所述遮光金属层对应所述有源层；

缓冲层，设于所述衬底上，且覆盖所述遮光金属层，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设于所述缓冲层上。

5.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板制备若干薄膜晶体管，所述薄膜晶体管对应所述显示区；

在制备所述薄膜晶体管的栅极层时，在所述邦定区同时制备第一金属层，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板的一侧为钼、钛或钼钛合金材料。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，制备所述薄膜晶体管和所述第一金属层包括以下步骤：

在所述基板上制备一层半导体材料，图案化所述半导体材料后形成若干半导体单元，所述半导体单元设于所述显示区中；

在基板上制备一层绝缘材料，所述绝缘材料覆盖所述半导体单元，所述绝缘材料自所述显示区延伸至所述邦定区；

在所述绝缘材料上制备叠层结构，所述叠层结构包括依次叠层设置的第一钼钛合金层、铜层、第二钼钛合金层，所述叠层结构自所述显示区延伸至所述邦定区；

在所述叠层结构上制备一层光刻胶，刻蚀所述光刻胶形成若干第一光刻胶单元以及若干第二光刻胶单元，所述第一光刻胶单元对应所述半导体单元，所述第二光刻胶单元设于所述邦定区中；

通过湿法刻蚀所述叠层结构，获得栅极层半成品和第一金属层半成品，其中，所述栅极层半成品对应所述第一光刻胶单元，所述第一金属层半成品对应所述第二光刻胶单元；

通过干刻蚀法刻蚀部分所述光刻胶和部分所述叠层结构，导体化所述半导体单元获得有源层；

去除所有光刻胶，获得裸露的栅极层和裸露的第一金属层。