[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置。所述阵列基板包括薄膜晶体管结构层、第一金属层、钝化层以及第二金属层。所述第一金属层设于所述薄膜晶体管结构层上。所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管结构层和所述第一金属层。所述第二金属层设于所述钝化层远离所述第一金属层的一表面上，并与所述第一金属层电连接。

技术领域

本发明涉及显示设备领域，特别是一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

大尺寸OLED背板为减少走线阻抗通常会选择铜作为薄膜晶体管的源极、漏极以及栅极的走线材料。但是，铜的稳定性差，暴露在外部环境时容易被氧化腐蚀。当铜用作绑定区的连接走线的主要材料时，其极容易被阵列基板后续制程中的所采用的蚀刻液所腐蚀，影响其稳定性。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，以解决现有技术中绑定区的连接走线容易被阵列基板后续制程中所采用的蚀刻液所腐蚀和容易发生氧化变质的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板具有显示区以及与所述显示区连接的绑定区。所述阵列基板包括薄膜晶体管结构层、第一金属层、钝化层以及第二金属层。

所述薄膜晶体管结构层位于所述显示区内，且延伸至所述绑定区；薄膜晶体管结构层顶部设有源极。所述第一金属层设于所述绑定区内的薄膜晶体管结构层上。所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管结构层和所述第一金属层。所述第二金属层位于所述绑定区内，并设于所述钝化层远离所述第一金属层的一表面上，所述第二金属层底面的突出部贯穿所述钝化层且与所述第一金属层电连接，所述第二金属层的材质为耐腐蚀金属或耐腐蚀金属氧化物。

进一步地，所述阵列基板还包括第三金属层。所述第三金属层位于所述显示区内，并设于所述钝化层远离所述第一金属层的一表面上，所述第三金属层贯穿所述钝化层与源极电连接。

进一步地，所述阵列基板还包括平坦层、像素电极以及像素限定层。所述平坦层设于所述钝化层上并覆盖所述第二金属层、所述薄膜晶体管结构层以及所述第三金属层的顶部。所述像素电极设于所述平坦层上，其底部的突出部贯穿所述平坦层，与所述第三金属层电连接。所述像素限定层设于所述平坦层上。

进一步地，所述阵列基板还包括第一通孔、第二通孔以及第三通孔。所述第一通孔与所述像素电极相对设置，并贯穿所述像素限定层。所述第二通孔与所述第二金属层相对设置，并贯穿所述像素限定层。所述第三通孔与所述第二金属层相对设置，并贯穿所述平坦层。

进一步地，所述第一金属层为铜；所述第二金属层中包括氧化铟锡、钼以及钛中的至少一种。

本发明中还提供一种阵列基板的制备方法，所述制备方法中包括以下步骤：

在一基板上制备薄膜晶体管结构层，包括源极；在制备源极的制程中，同时在所述薄膜晶体管结构层上表面制备第一金属层；在所述薄膜晶体管结构层和所述第一金属层上制备钝化层；在所述钝化层上刻蚀出两个以上过孔，贯穿所述钝化层，每一过孔与第一金属层或源极相对设置；在所述钝化层上制备第二金属层，其底面的突出部穿过一过孔，且与所述第一金属层电连接。

进一步地，所述阵列基板的制备方法中还包括以下步骤：在所述钝化层上形成所述第二金属层的同时形成第三金属层。

进一步地，所述阵列基板的制备方法中还包括以下步骤：在所述钝化层上形成平坦层；在所述平坦层上形成像素电极；在所述平坦层和所述像素电极上形成像素限定层。