[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，具有显示区以及与所述显示区连接的绑定区；

所述阵列基板包括：

薄膜晶体管结构层，位于所述显示区内，且延伸至所述绑定区；薄膜晶体管结构层顶部设有源极；

第一金属层，设于所述绑定区内的薄膜晶体管结构层上；

钝化层，覆盖所述薄膜晶体管结构层和所述第一金属层；以及

第二金属层，位于所述绑定区内，并设于所述钝化层远离所述第一金属层的一表面上，所述第二金属层底面的突出部贯穿所述钝化层且与所述第一金属层电连接，所述第二金属层的材质为耐腐蚀金属或耐腐蚀金属氧化物。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

第三金属层，位于所述显示区内，并设于所述钝化层远离所述第一金属层的一表面上，所述第三金属层贯穿所述钝化层与源极电连接。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

平坦层，设于所述钝化层上并覆盖所述第二金属层、所述薄膜晶体管结构层以及所述第三金属层的顶部；

像素电极，设于所述平坦层上，其底部的突出部贯穿所述平坦层，与所述第三金属层电连接；以及

像素限定层，设于所述平坦层上。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

第一通孔，与所述像素电极相对设置，并贯穿所述像素限定层；

第二通孔，与所述第二金属层相对设置，并贯穿所述像素限定层；以及

第三通孔，与所述第二金属层相对设置，并贯穿所述平坦层。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一金属层为铜；所述第二金属层中包括氧化铟锡、钼以及钛中的至少一种。

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在一基板上制备薄膜晶体管结构层，包括源极；在制备源极的制程中，同时在所述薄膜晶体管结构层上表面制备第一金属层；

在所述薄膜晶体管结构层和所述第一金属层上制备钝化层；

在所述钝化层上刻蚀出两个以上过孔，贯穿所述钝化层，每一过孔与第一金属层或源极相对设置；以及

在所述钝化层上制备第二金属层，其底面的突出部穿过一过孔，且与所述第一金属层电连接。

7.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述钝化层上形成所述第二金属层的同时形成第三金属层。

8.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述钝化层上形成平坦层；

在所述平坦层上形成像素电极；以及

在所述平坦层和所述像素电极上形成像素限定层。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述平坦层中刻蚀出第三通孔；以及

在所述像素限定层中刻蚀出第一通孔和第二通孔。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1所述的阵列基板。