[发明专利]光电传感器及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种光电传感器，其特征在于，包括：

透明衬底基板；

空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述透明衬底基板上；

吸光层，所述吸光层设置于所述空穴传输层背离所述透明衬底基板的一侧；

电子传输层，所述电子传输层设置于所述吸光层背离所述空穴传输层的一侧；

其中，所述透明衬底基板背离所述空穴传输层的一侧为所述光电传感器的入光侧，所述空穴传输层的材料为氧化钼。

2.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述氧化钼的禁带宽大于或等于2.8eV且小于或等于3.6eV，所述氧化钼的功函数大于或等于5.2eV且小于或等于6.8eV。

3.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述吸光层为本征半导体，所述电子传输层为电子型半导体，所述空穴传输层与所述吸光层和所述电子传输层构成半导体异质结构。

4.如权利要求3所述的光电传感器，其特征在于，所述吸光层和所述电子传输层的材料均包括非晶硅、微晶硅和多晶硅中的任意一种。

5.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器包括：

第一电极，所述第一电极设置于所述透明衬底基板与所述空穴传输层之间；

第二电极，所述第二电极设置于所述电子传输层背离所述吸光层的一侧。

6.如权利要求5所述的光电传感器，其特征在于，所述第一电极为氧化铟锌、氧化铟锡、氧化锌和氧化镓锌中的至少一种金属氧化物材料形成的单层或多层结构。

7.如权利要求5所述的光电传感器，其特征在于，所述第二电极为钼、铜、铝、钛、镍和镉中的至少一种金属材料形成的单层或多层结构。

8.如权利要求5所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述透明衬底基板上，并且覆盖所述第一电极和所述电子传输层，所述绝缘层上设有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露出所述第一电极，所述第二过孔暴露出所述电子传输层。

9.一种光电传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在透明衬底基板上形成第一电极；

在所述透明衬底基板以及所述第一电极上沉积一层氧化钼；

在所述氧化钼上依次沉积吸光材料和电子传输材料；

对所述电子传输材料、所述吸光材料和所述氧化钼进行图案化工艺，形成依次层叠设置于所述第一电极上的空穴传输层、吸光层和电子传输层。

10.如权利要求9所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括以下步骤：

在所述透明衬底基板上形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述空穴传输层、所述吸光层和所述电子传输层；

对所述绝缘层进行刻蚀，形成暴露出所述第一电极的第一过孔和暴露出所述电子传输层的第二过孔；

在所述电子传输层和所述绝缘层上形成第二电极。

11.如权利要求9所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，所述氧化钼的禁带宽大于或等于2.8eV且小于或等于3.6eV，所述氧化钼的功函数大于或等于5.2eV且小于或等于6.8eV。

12.如权利要求9所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，所述电子传输层为N型半导体，所述吸光层为本征半导体，所述空穴传输层与所述吸光层和所述电子传输层构成半导体异质结构。

13.如权利要求9所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，在所述氧化钼上依次沉积所述吸光材料和所述电子传输材料的方法为化学气相沉积法或者原子层沉积法。