[发明专利]一种硅基液晶面板及其设计方法和制备方法

说明书

本发明涉及一种硅基液晶面板及其设计方法和制备方法，通过获得硅基液晶面板的目标指标，并将所述目标指标分解的方式，分别对所述硅基液晶面板的上基板、下基板以及液晶盒分别进行设计，最后通过在上基板上蒸镀形成增透膜，并在下基板蒸镀形成高反膜的方式，综合实现对硅基液晶面板的光利用率的有效提升，以此提升使用所述硅基液晶面板的产品的光利用率，有利于增强硅基液晶面板的适用范围，而且本发明的所述硅基液晶面板的制备方在硅基板封装前进行镀膜处理，无需改变现有的硅基板的结构，制备方法简单，易于实现，有利于采用较低的生产成本获得具有更高光利用率的硅基液晶面板。

技术领域

本发明涉及硅基液晶面板制造技术领域，特别是涉及一种硅基液晶面板及其设计方法和制备方法。

背景技术

现有LCOS晶圆基板(硅基板)的光利用率较低，在70％～95％。现有的硅基液晶面板的上基板主要是ITO玻璃，ITO玻璃厚度及上面ITO材料的不同导致其透过率各有差异，透过率主要在75％～90％之间；硅基液晶面板的下基板主要是硅片，硅片上的CMOS电路和反射铝层的差异会导致反射率不一致，反射率主要在70％～95％之间，综合来讲，现有的硅基液晶面板的光利用率在50％～85％之间，差异较大。现有的硅基液晶面板的光利用率受硅基板上像元大小及像素间隙的影响，但主要受限于硅基板的制造工艺能力和开发掩膜板的资金压力，

也就是说，现有的硅基液晶面板的硅基板的制造工艺能力不足，制造成本高，导致在花费较高的生产成本的同时还无法获得高光利用率的硅基液晶面板。而且，由于现有的硅基液晶面板的光利用率较低，其对应的适用范围也较为局限。随着用户的使用要求的提高，硅基液晶面板以及使用硅基液晶的微显示类产品的光利用率需求也随之提高，所以提升硅基液晶基板的光利用率迫在眉睫。

发明内容

本发明的一目的是，提供一种硅基液晶面板及其设计方法和制备方法，所述硅基液晶面板的设计方法和制备方法简单、易于实现、成本低，而且能够有效提升基液晶面板的光利用率。

本发明在一方面公开了一种硅基液晶面板的设计方法，包括步骤：

S1、获取硅基液晶面板的目标指标；

S2、对所述目标指标进行分解；以及

S3、基于分解后的目标指标，分别进行所述硅基液晶面板的上基板、下基板、介质层以及液晶盒的设计。

在本发明的一实施例中，在所述步骤S2中，将所述目标指标分解为所述硅基液晶面板的上基板指标、下基板指标、介质层指标以及液晶盒指标。

在本发明的一实施例中，在所述步骤S3中，所述介质层包括增透膜和高反膜，将所述增透膜设置于所述上基板，将所述高反膜设置于所述下基板，基于所述上基板指标、所述下基板指标、所述介质层指标以及所述液晶盒指标，分别进行所述上基板的增透膜系设计、液晶盒设计以及所述下基板的高反膜系设计，所述液晶盒设计包括液晶层、设置在所述液晶层两侧的取向层以及电极层的材料选择和相对位置的设计。

在本发明的一实施例中，所述步骤S3包括步骤：

S31、基于所述硅基液晶面板的所述上基板的增透膜系设计和所述下基板的高反膜系设计，分别选择相应的增透膜材料和高反膜材料；和

S32、根据所选择的增透膜材料和高反膜材料对应的特点，分别进行所述上基板的增透膜的成膜厚度和/或致密性调节和所述下基板的高反膜的成膜厚度和/或致密性调节，得到目标硅基液晶面板。

在本发明的一实施例中，所述硅基液晶面板的设计方法还包括步骤：

S4、对得到的所述目标硅基液晶面板进行指标测试，获得测试结果；和

S5、对比所述测试结果和所述目标指标，基于所述测试结果和所述目标指标的对比结果，修正和优化所述目标硅基液晶面板的上基板、下基板、液晶盒以及介质层的设计。