[发明专利]一种硅基液晶面板及其设计方法和制备方法

权利要求书

1.一种硅基液晶面板的设计方法，其特征在于，包括步骤：

S1、获取硅基液晶面板的目标指标；

S2、对所述目标指标进行分解；以及

S3、基于分解后的目标指标，分别进行所述硅基液晶面板的上基板、下基板、介质层以及液晶盒的设计。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，将所述目标指标分解为所述硅基液晶面板的上基板指标、下基板指标、介质层指标以及液晶盒指标。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述介质层包括增透膜和高反膜，将所述增透膜设置于所述上基板，将所述高反膜设置于所述下基板，基于所述上基板指标、所述下基板指标、所述介质层指标以及所述液晶盒指标，分别进行所述上基板的增透膜系设计、液晶盒设计以及所述下基板的高反膜系设计，所述液晶盒设计包括液晶层、设置在所述液晶层两侧的取向层以及电极层的材料选择和相对位置的设计。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤S3包括步骤：

S31、基于所述硅基液晶面板的所述上基板的增透膜系设计和所述下基板的高反膜系设计，分别选择相应的增透膜材料和高反膜材料；和

S32、根据所选择的增透膜材料和高反膜材料对应的特点，分别进行所述上基板的增透膜的成膜厚度和/或致密性调节和所述下基板的高反膜的成膜厚度和/或致密性调节，得到目标硅基液晶面板。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述硅基液晶面板的设计方法还包括步骤：

S4、对得到的所述目标硅基液晶面板进行指标测试，获得测试结果；和

S5、对比所述测试结果和所述目标指标，基于所述测试结果和所述目标指标的对比结果，修正和优化所述目标硅基液晶面板的上基板、下基板、液晶盒以及介质层的设计。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述硅基液晶面板的目标指标包括使用波段、光利用率、折射率、透过率、反射率中的一种或多种。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述增透膜材料包括氧化钽、氧化钛、氧化铌、氧化铪、氧化锆、钛酸镧、氧化铝、氧化硅、氟化镁、氟化铈、冰晶石、氟化钙、氟化镧、氟化钇、氟化钡中的一种或多种，所述高反膜材料包括氧化钽、氧化钛、氧化铌、氧化铪、氧化锆、钛酸镧、氧化铝、氧化硅、氟化镁中的一种或多种。

8.一种基于权利要求1至7中任一项所述的硅基液晶面板的设计方法进行的硅基液晶面板的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在ITO玻璃板的相对两面分别蒸镀形成一增透膜，形成上基板；

在硅基板的设置有CMOS电路的一面蒸镀形成一高反膜，形成下基板；以及

将所述上基板和所述下基板分别密封连接于液晶盒的相对两侧，形成所述硅基液晶面板。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述增透膜材料包括氧化钽、氧化钛、氧化铌、氧化铪、氧化锆、钛酸镧、氧化铝、氧化硅、氟化镁、氟化铈、冰晶石、氟化钙、氟化镧、氟化钇、氟化钡中的一种或多种，所述高反膜材料包括氧化钽、氧化钛、氧化铌、氧化铪、氧化锆、钛酸镧、氧化铝、氧化硅、氟化镁中的一种或多种。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述增透膜由一氧化硅和二氧化硅交替镀膜形成，交替镀膜的层数范围为：4～6层，厚度范围为：4～6nm，蒸镀速率范围为：0.2～0.8nm/s。

11.权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述高反膜由氧化钽和氧化硅或氧化铪和氧化硅交替镀膜形成，交替镀膜的层数范围为：10～40层，厚度范围为1～3μm，蒸镀速度范围为：0.2～4nm/s。

12.一种硅基液晶面板，其特征在于，所述硅基液晶面板由根据权利要求8至11中任一项所述的硅基液晶面板的制备方法制备得到，所述硅基液晶面板包括液晶盒和设置在液晶盒两侧的上基板和下基板，所述液晶盒包括液晶层和分别设置在液晶层两侧的取向层，所述上基板包括沿远离于所述液晶盒方向上依次设置的增透膜、ITO电极、玻璃板以及增透膜，所述下基板包括沿远离于所述液晶盒方向上依次设置的高反膜、CMOS电路以及硅基板。