[发明专利]一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质

说明书

本发明公开了一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质，方法包括：构建双脉冲测试电路；根据驱动电源的驱动电压值、驱动外电阻的第一预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第一变化率建立关于栅极内阻的第一计算关系式；改变驱动外电阻为第二预设电阻值，根据驱动电源的驱动电压值、第二预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第二变化率建立关于待测功率器件第一端电压和栅极内阻的第二计算关系式；根据第一计算关系式和第二计算关系式计算得到栅极内阻的电阻值。通过实施本发明，采用简单的测试方法和常用的测试仪器即可计算得到功率器件的栅极内阻，具有较高的实用价值。

技术领域

本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质。

背景技术

功率半导体器件是用于电力设备的电能变换和控制电路方面中的大功率的电力电子器件，因此，功率半导体器件是电力电子器件中的核心器件。随着数字信息技术的快速发展，功率半导体器件的应用越来越广泛，其中，绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGate Bipolar Transistor)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的晶体管，因此，如果为了充分利用IGBT器件，有必要研究IGBT器件的电气特性，其中IGBT器件的栅极内阻属于重要电气特性参数之一，IGBT器件的栅极内阻影响器件的充放电速度，测量IGBT器件的栅极内阻有助于器件的驱动匹配。目前，对于IGBT器件栅极内阻的测试较为困难，需要借助较为复杂的测试仪器。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了涉及一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质，以解决现有技术中对于IGBT栅极内阻的测试较为困难的技术问题。

本发明提出的技术方案如下：

本发明实施例第一方面提供一种测算功率器件栅极内阻的方法，包括：构建双脉冲测试电路，所述双脉冲测试电路包括待测功率器件、驱动电源以及驱动外电阻；根据所述驱动电源的驱动电压值、所述驱动外电阻的第一预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第一变化率建立关于待测功率器件第一端电压和栅极内阻的第一计算关系式，所述第一电极间电容电压的第一变化率为米勒平台期间第一电极间电容电压的变化率；改变所述驱动外电阻为第二预设电阻值，根据所述驱动电源的驱动电压值、第二预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第二变化率建立关于待测功率器件第一端电压和栅极内阻的第二计算关系式，所述第一电极间电容电压的第二变化率为米勒平台期间第一电极间电容电压的变化率；根据所述第一计算关系式和第二计算关系式计算得到栅极内阻的电阻值。

可选地，所述第一电极间电容电压的第一变化率通过以下公式计算得到：

其中，为第一电极间电容电压的第一变化率，V_CE1为所述驱动外电阻为第一预设电阻值时待测功率器件的第二端电压，(t_b1，V_b1)和(t_a1，V_a1)为在t－V_CE1曲线上选取的米勒平台期间的两个坐标；

所述第一电极间电容电压的第二变化率通过以下公式计算得到：

其中，为第一电极间电容电压的第二变化率，V_CE2为所述驱动外电阻为第二预设电阻值时待测功率器件的第二端电压，(t_b2，V_b2)和(t_a2，V_a2)为在t－V_CE2曲线上选取的米勒平台期间的两个坐标。

可选地，第一时间差值和第二时间差值相等，所述第一时间差值表示为t_b1-t_a1，所述第二时间差值表示为t_b2-t_a2。