[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，所述阵列基板的制作方法包括：提供一基板；在基板上依次形成第一金属层、栅极绝缘层和有源层；在所述有源层上依次形成至少两层掺杂非晶硅薄膜，至少两层所述掺杂非晶硅薄膜形成掺杂层；其中，所述掺杂非晶硅薄膜采用等离子体化学气相沉淀法沉积。通过采用等离子体化学气相沉淀法沉积，采用不同沉积功率形成有至少两层掺杂非晶硅薄膜，其中一层掺杂非晶硅薄膜采用低射频功率沉积，其中一层采用高射频功率沉积，形成不同致密性的掺杂非晶硅薄膜，有利于改善膜质，降低沉积第二金属层时对掺杂非晶硅薄膜和有源层的影响，进而防止影像残留的出现。

技术领域

本发明属于阵列基板的制作方法技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

传统的阵列基板均利用等离子体化学气相沉淀法，采用高射频功率一次性沉积重掺杂区的非晶硅薄膜，成膜简单，但成膜的膜质缺陷较大；在沉积源极及漏极时，容易破坏掺杂非晶硅薄膜膜质。当显示器长时间显示固定画面时，导电离子在取向层表面聚集，当离子聚集到足够驱动电压的时候，会使液晶分子产生极化现象，导致驱动电压对液晶分子不产生作用，这个时候切换下一个画面，已经聚集的离子不能马上离开取向层表面，因此容易会出现影像残留的问题。

发明内容

本发明实施例的主要目的在于提出一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，旨在对以上显示屏容易产生影像残留的缺陷进行了改善。

本发明解决上述技术问题的技术方案是，提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括：

提供一基板；

在所述基板上依次形成第一金属层、栅极绝缘层和有源层；

在所述有源层上依次形成至少两层掺杂非晶硅薄膜，至少两层所述掺杂非晶硅薄膜形成掺杂层；

其中，所述掺杂非晶硅薄膜采用等离子体化学气相沉淀法沉积，至少一层所述掺杂非晶硅薄膜采用低射频功率沉积，至少一层所述掺杂非晶硅薄膜采用高射频功率沉积。

进一步地，在所述有源层上依次形成至少两层掺杂非晶硅薄膜的步骤包括：

在所述有源层上采用高射频功率沉积第一层掺杂非晶硅薄膜；

在所述第一层掺杂非晶硅薄膜背离所述有源层的一侧采用低射频功率沉积第二层掺杂非晶硅薄膜。

进一步地，所述第一层掺杂非晶硅薄膜的厚度范围为200埃至300埃；所述第二层掺杂非晶硅薄膜的厚度范围为100埃至200埃。

进一步地，在所述有源层上依次形成至少两层掺杂非晶硅薄膜的步骤包括：

在所述有源层上采用低射频功率沉积第一层掺杂非晶硅薄膜；

在所述第一层掺杂非晶硅薄膜背离所述有源层的一侧采用高射频功率沉积第二层掺杂非晶硅薄膜；

在所述第二层掺杂非晶硅薄膜背离所述第一层掺杂非晶硅薄膜的一侧采用低射频功率沉积第三层掺杂非晶硅薄膜。

进一步地，所述第一层掺杂非晶硅薄膜的厚度在100-125埃之间，所述第二层掺杂非晶硅薄膜的厚度在150-200埃之间，所述第三层掺杂非晶硅薄膜的厚度在100-125埃之间。

进一步地，所述高射频功率的范围为大于或等于6.2KW；所述低射频功率的范围为小于或等于5KW。

进一步地，所述在所述有源层上依次形成至少两层掺杂非晶硅薄膜，至少两层所述掺杂非晶硅薄膜形成掺杂层的步骤之后，还包括：在所述掺杂层上沉积第二金属层。