[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括：

提供一基板；

在所述基板上依次形成第一金属层、栅极绝缘层和有源层；

在所述有源层上依次形成至少两层掺杂非晶硅薄膜，至少两层所述掺杂非晶硅薄膜形成掺杂层；

其中，所述掺杂非晶硅薄膜采用等离子体化学气相沉淀法沉积，至少一层所述掺杂非晶硅薄膜采用低射频功率沉积，至少一层所述掺杂非晶硅薄膜采用高射频功率沉积，所述高射频功率的范围为大于或等于6.2KW；所述低射频功率的范围为小于或等于5KW，当膜厚大于等于100埃，且小于150埃时，采用5KW及以下功率的等离子体化学气相沉淀法沉积成膜；当膜厚大于150埃时，采用6.2KW及以上功率的等离子体化学气相沉淀法沉积成膜，所述掺杂层的厚度为400埃；

在所述有源层上依次形成至少两层掺杂非晶硅薄膜的步骤包括：

在所述有源层上采用低射频功率沉积第一层掺杂非晶硅薄膜，所述第一层掺杂非晶硅薄膜的厚度在100-125埃之间；

在所述第一层掺杂非晶硅薄膜背离所述有源层的一侧采用高射频功率沉积第二层掺杂非晶硅薄膜，所述第二层掺杂非晶硅薄膜的厚度在150-200埃之间；

在所述第二层掺杂非晶硅薄膜背离所述第一层掺杂非晶硅薄膜的一侧采用低射频功率沉积第三层掺杂非晶硅薄膜，所述第三层掺杂非晶硅薄膜的厚度在100-125埃之间。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述有源层上依次形成至少两层掺杂非晶硅薄膜，至少两层所述掺杂非晶硅薄膜形成掺杂层的步骤之后，还包括：

在所述掺杂层上沉积第二金属层。

3.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基板；

第一金属层，所述第一金属层设置在所述基板上；

栅极绝缘层，设于所述第一金属层上；

有源层，设于所述栅极绝缘层上；以及

掺杂层，所述掺杂层包括三层掺杂非晶硅薄膜；

其中，所述掺杂非晶硅薄膜采用如权利要求1至2任意一项所述的制作方法制作。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，三层所述掺杂非晶硅薄膜的厚度不同。

5.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括彩膜基板及如权利要求3或4所述的阵列基板；所述彩膜基板装设在所述阵列基板的出光方向上。