[发明专利]一种局部减薄制造方法

说明书

本发明公开了一种局部减薄制造方法，首先量测晶片表面待减薄层每个对应曝光区域的点的前值厚度；然后使晶片上覆盖一层光刻胶，采用步进式曝光机的渐进曝光模式，每一区域的曝光能量与焦距由该点的厚度的量测结果而定，之后进行显影，形成表面平齐的光刻胶厚度补偿层；接着选用对光刻胶和待减薄层具有相同蚀刻速率的蚀刻剂进行刻蚀；蚀刻完成后，去除光刻胶。本发明以传统的黄光工艺即可得到局部减薄的效果，获得更佳的厚度均匀度以满足性能的需求；本发明所使用的设备均为晶片制造业所具有的传统设备，达到节省制造成本的目标。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造工艺技术领域，尤其涉及一种局部减薄制造方法。

背景技术

局部减薄(local trimming)是制造声波滤波器的一种常用作法，其目的是使晶片上的基材、金属或介电层得到更佳的厚度均匀度，使得最终的频率与特性能达成一致性，以提升良率。现有的局部减薄工艺是首先量测前值，得到每一点需要的刻蚀量，之后使用离子束或分子束，以变动移动速度或变动离子束能量扫描刻蚀晶片表面，以得到均匀的厚度结果。现有的工艺对设备的要求较高，制造成本高。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种局部减薄制造方法。

为了实现以上目的，本发明的技术方案为：

一种局部减薄制造方法，包括以下步骤：

a.量测晶片表面待减薄层每个对应曝光区域的点的前值厚度；

b.使晶片上覆盖一层光刻胶，采用步进式曝光机的渐进曝光模式，用无光刻版方式曝光，每一区域的曝光能量与焦距由该点的厚度的量测结果而定，之后进行显影，形成表面平齐的光刻胶厚度补偿层；

c.采用干刻蚀机台，选用对光刻胶和待减薄层材料具有相同蚀刻速率的蚀刻剂进行刻蚀；

d.蚀刻完成后，去除光刻胶。

这里所述的曝光区域，是指采用by shot模式的单位曝光区域。

这里所述的表面平齐，是指表面没有高度落差。

可选的，所述待减薄层为半导体层、金属层或介电层。

可选的，步骤a中，采用椭偏仪或膜厚仪进行所述厚度的量测。

可选的，步骤b中，所述光刻胶的厚度为500nm～5000nm。

可选的，步骤c中，使用终点侦测器控制所述刻蚀所需的时间。

可选的，步骤a中，所述晶片表面的待减薄层为不平整的SiO₂层或Si₃N₄层，厚度范围为20nm～200nm；步骤c中，所述刻蚀采用反应离子刻蚀机，蚀刻剂为含F气体，例如SF₆。这里所述的不平整，是指由于厚度不均匀导致的表面具有高度落差。

可选的，所述反应离子刻蚀机的功率为100～500W，压力为100～500mT。

可选的，步骤d中，采用氧气等离子体和溶剂清洗完成光刻胶去除作业，所述溶剂为NMP。

可选的，步骤b中，采用旋涂的方法涂覆所述光刻胶，并通过光学量测的方法监测光刻胶的厚度均匀度。

本发明的有益效果为：

以传统的黄光工艺在原本具有高度差的晶片表面产生光刻胶厚度补偿层，从而得到没有高度差的平整表面，搭配传统的刻蚀机台做刻蚀工艺，即可得到局部减薄的效果，获得更佳的厚度均匀度，使得最终的频率与特性能达到一致性，以提升良率；本发明所使用的设备均为晶片制造业所具有的传统设备，无需额外增加局部减薄专业设备即可达到类似局部减薄的功能，达到节省制造成本的效果。

附图说明