[发明专利]一种局部减薄制造方法在审
| 申请号： | 202110389503.2 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113314407A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 杨健;朱庆芳 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/66 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 局部 制造 方法 | ||
1.一种局部减薄制造方法，其特征在于包括以下步骤：
a.量测晶片表面待减薄层每个对应曝光区域的点的前值厚度；
b.使晶片上覆盖一层光刻胶，采用步进式曝光机的渐进曝光模式，用无光刻版方式曝光，每一区域的曝光能量与焦距由该点的厚度的量测结果而定，之后进行显影，形成表面平齐的光刻胶厚度补偿层；
c.采用干刻蚀机台，选用对光刻胶和待减薄层材料具有相同蚀刻速率的蚀刻剂进行刻蚀；
d.蚀刻完成后，去除光刻胶。
2.根据权利要求1所述的局部减薄制造方法，其特征在于：所述待减薄层为半导体层、金属层或介电层。
3.根据权利要求1所述的局部减薄制造方法，其特征在于：步骤a中，采用椭偏仪或膜厚仪进行所述厚度的量测。
4.根据权利要求1所述的局部减薄制造方法，其特征在于：步骤b中，所述光刻胶的厚度为500nm～5000nm。
5.根据权利要求1所述的局部减薄制造方法，其特征在于：步骤c中，使用终点侦测器控制所述刻蚀所需的时间。
6.根据权利要求1所述的局部减薄制造方法，其特征在于：步骤a中，所述晶片表面的待减薄层为不平整的SiO2层或Si3N4层，厚度范围为20nm～200nm；步骤c中，所述刻蚀采用反应离子刻蚀机，蚀刻剂为含F气体。
7.根据权利要求6所述的局部减薄制造方法，其特征在于：所述反应离子刻蚀机的功率为100～500W，压力为100～500mT。
8.根据权利要求1所述的局部减薄制造方法，其特征在于：步骤d中，采用氧气等离子体和溶剂清洗完成光刻胶去除作业，所述溶剂为NMP。
9.根据权利要求1所述的局部减薄制造方法，其特征在于：步骤b中，采用旋涂的方法涂覆所述光刻胶，并通过光学量测的方法监测光刻胶的厚度均匀度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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