[发明专利]晶片生成装置在审
| 申请号: | 202110387862.4 | 申请日: | 2021-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN113539911A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
| 发明(设计)人: | 饭塚健太吕;山本凉兵 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 生成 装置 | ||
本发明提供一种晶片生成装置,即使发生停电或故障,半导体锭与晶片的父子关系也不会被破坏而始终明确。晶片生成装置包含:搬送托盘,其具有收纳半导体锭的锭收纳部和收纳从半导体锭生成的晶片的晶片收纳部;带式搬送机单元,其将搬送托盘搬送至各加工机;盒架,其与搬送托盘对应地载置收纳晶片的盒;以及转移单元,其将晶片从搬送托盘的晶片收纳部转移至载置在盒架上的盒中。在搬送托盘上施加有识别标记。在与搬送托盘对应的盒架或盒上施加有与搬送托盘上所施加的识别标记相同的识别标记。
技术领域
本发明涉及从半导体锭生成晶片的晶片生成装置。
背景技术
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al2O3(蓝宝石)等为原材料的晶片的正面上层叠功能层并通过分割预定线进行划分而形成的。另外,功率器件、LED等器件是在以单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并通过分割预定线进行划分而形成的。形成有器件的晶片通过切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而被分割成一个个的器件芯片,分割得到的各器件芯片被利用于便携电话、个人计算机等电子设备。
关于形成器件的晶片,一般是通过利用线切割机将圆柱形状的半导体锭薄薄地切断而生成的。通过对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨而精加工成镜面(例如参照专利文献1)。然而,当利用线切割机将半导体锭切断并对切断的晶片的正面和背面进行研磨时,半导体锭的大部分(70%~80%)被舍弃,存在不经济的问题。特别是在单晶SiC锭中,硬度高因而利用线切割机进行切断很困难,需要相当长的时间,所以生产性较差,并且半导体锭的单价高,在高效地生成晶片方面存在课题。
因此,有人提出了下述技术:将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在单晶SiC锭的内部而对单晶SiC锭照射激光光线,在切断预定面上形成剥离层,沿着形成有剥离层的切断预定面将晶片从单晶SiC锭剥离(例如参照专利文献2)。
另外,在下述专利文献2公开的晶片生成装置中,始终在带式搬送机单元上载置几个(例如4个)收纳了半导体锭的搬送托盘,能够高效地实施下述的一系列作业:利用带式搬送机单元将半导体锭搬送到各加工机而从半导体锭生成晶片,将晶片收纳在与生成了晶片的半导体锭相同的搬送托盘上,在晶片搬出区域中将晶片收纳在与半导体锭相关联的盒中。
专利文献1:日本特开2000-94221号公报
专利文献1:日本特开2019-106458号公报
但是,当晶片生成装置的运转由于停电或故障而停止,进行将搬送托盘从带式搬送机单元搬出等操作然后再次运转时,有时无法将晶片收纳到与半导体锭相关联的盒中,存在半导体锭与晶片的父子关系变得不明确的问题。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供晶片生成装置,即使发生停电或故障,半导体锭与晶片的父子关系也不会被破坏而始终明确。
根据本发明,提供晶片生成装置,其从半导体锭生成晶片,其中,该晶片生成装置具有:搬送托盘,其具有收纳该半导体锭的锭收纳部和收纳从该半导体锭生成的晶片的晶片收纳部;带式搬送机单元,其将该搬送托盘搬送至各加工机;盒架,其与该搬送托盘对应地载置收纳晶片的盒;以及转移单元,其将晶片从该搬送托盘的该晶片收纳部转移至该盒架所载置的该盒中,在该搬送托盘上施加有识别标记,在与该搬送托盘对应的该盒架或该盒上施加有与该搬送托盘上所施加的识别标记相同的识别标记。
优选该识别标记是色彩、记号、文字、图形、花纹、图画中的任意标记或组合。
根据本发明,即使在发生停电或故障,晶片生成装置的运转停止的情况下,也能够将晶片可靠地收纳在与半导体锭相关联的盒中,半导体锭与晶片的父子关系不会被破坏而始终明确。
附图说明
图1是本发明实施方式的晶片生成装置的立体图。
图2是图1所示的搬送托盘的立体图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110387862.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:作为FGFR4抑制剂的稠环化合物
- 下一篇:高频放大器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





