[发明专利]FinFET器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一隔离结构和第二隔离结构，在所述衬底之上；

半导体鳍，在所述衬底之上并且在所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间，所述半导体鳍的顶表面高于所述第一隔离结构的顶表面和所述第二隔离结构的顶表面；以及

第三隔离结构，延伸穿过所述半导体鳍并且在所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间，所述第三隔离结构包括：

第一电介质材料；以及

第二电介质材料，在所述第一电介质材料之上，其中，所述第一电介质材料与所述第二电介质材料之间的界面低于所述第一隔离结构的顶表面和所述第二隔离结构的顶表面。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一电介质材料延伸到低于所述第一隔离结构的底表面和所述第二隔离结构的底表面。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二电介质材料沿着所述第一隔离结构的顶表面和侧壁延伸并与所述第一隔离结构的顶表面和侧壁实体接触。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第三隔离结构的顶表面高于所述第一隔离结构的顶表面和所述第二隔离结构的顶表面。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第三隔离结构的顶表面高于所述半导体鳍的顶表面。

6.根据权利要求1所述的器件，还包括：栅极堆叠，在所述半导体鳍之上并且与所述第三隔离结构相邻，所述栅极堆叠的顶表面低于所述第三隔离结构的顶表面。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一电介质材料不同于所述第二电介质材料。

8.一种半导体器件，包括：

衬底；

半导体鳍，从所述衬底的顶表面延伸；

栅极堆叠，沿着所述半导体鳍的顶表面和侧壁延伸；

源极/漏极区域，延伸到所述半导体鳍中、与所述栅极堆叠相邻；以及

隔离结构，延伸到所述半导体鳍中、与所述源极/漏极区域相邻，所述源极/漏极区域介于所述隔离结构与所述栅极堆叠之间，所述隔离结构包括：

第一电介质材料；以及

第二电介质材料，在所述第一电介质材料之上，其中，所述第一电介质材料与所述第二电介质材料之间的界面低于所述半导体鳍的顶表面。

9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述第一电介质材料不同于所述第二电介质材料。

10.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在衬底之上形成半导体鳍；

在所述半导体鳍之上形成虚设栅极结构；

在所述虚设栅极结构的相对侧壁上形成间隔件；

去除所述虚设栅极结构以在所述间隔件之间形成沟槽，所述沟槽暴露所述半导体鳍；

对所述半导体鳍执行蚀刻工艺以将所述沟槽延伸到所述半导体鳍中；

用第一电介质材料填充所述沟槽；

对所述第一电介质材料进行回蚀刻；以及

在所述沟槽中并且在所述第一电介质材料之上沉积第二电介质材料。