[发明专利]存储器控制器及其操作方法在审
申请号: | 202110386122.9 | 申请日: | 2021-04-12 |
公开(公告)号: | CN114077388A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 金到训 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F13/28 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 崔龙铉;张晶 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 控制器 及其 操作方法 | ||
本技术涉及一种电子装置。一种增加高速缓存存储器的命中率的存储器控制器包括被配置为存储与从主机接收的请求相对应的命令数据的存储器缓冲器,以及被配置为高速缓存命令数据的高速缓存存储器。高速缓存存储器通过基于输出命令数据的组件和命令数据中包括的标志分配高速缓存行来存储命令数据。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年8月21日向韩国知识产权局提交的、申请号为10-2020-0105641的韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及一种电子装置,并且更特别地,涉及一种存储器控制器及其操作方法。
背景技术
存储装置是在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置包括将数据存储在磁盘中的装置(诸如硬盘驱动器(HDD))、将数据存储在半导体存储器中的装置(例如,非易失性存储器,诸如固态驱动器(SSD)或存储卡)。
存储装置可以包括存储数据的存储器装置以及将数据存储在存储器装置中的存储器控制器。存储器装置可以被分类为易失性存储器和非易失性存储器。在此,非易失性存储器包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。
发明内容
本公开的实施例提供了一种分配用于在没有来自外部的附加信息的情况下传输映射数据或命令数据的高速缓存行的存储器控制器以及操作该存储器控制器的方法。
根据本公开的实施例的存储器控制器包括:存储器缓冲器,被配置为存储与从主机接收的请求相对应的命令数据;以及高速缓存存储器,被配置为高速缓存该命令数据。高速缓存存储器通过基于输出命令数据的组件和命令数据中包括的标志分配高速缓存行来存储命令数据。
根据本公开的实施例的操作包括存储器缓冲器和高速缓存存储器的存储器控制器的方法包括:将与从主机接收的请求相对应的命令数据存储在存储器缓冲器中;并且将该命令数据高速缓存在高速缓存存储器中,高速缓存可以包括基于输出命令数据的组件和命令数据中包括的标志来分配高速缓存行。
根据本技术,可以通过分配高速缓存行来增加高速缓存存储器的命中率,该高速缓存行用于通过访问映射数据或命令数据的方法传输映射数据或命令数据。
附图说明
图1是示出根据实施例的存储装置的框图。
图2是示出图1的存储器装置的结构的示图。
图3是示出图2的存储器单元阵列的示图。
图4是示出图1的存储器控制器的示图。
图5至图8是示出在存储器控制器和存储器装置之间传输映射数据或命令数据的示图。
图9是示出在存储器控制器中包括的组件之间传输命令数据的示图。
图10是示出清除命令数据的单位的示图。
图11是示出分配给一个高速缓存行的命令数据的示图。
图12是示出当高速缓存行未均匀分配时分配高速缓存行的方法的示图。
图13是示出当高速缓存行未均匀分配时分配高速缓存行的另一方法的示图。
图14是示出根据本公开的实施例的存储器控制器的操作的示图。
图15是示出根据另一实施例的存储器控制器的示图。
图16是示出应用根据本公开的实施例的存储装置的存储卡系统的框图。
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