[发明专利]一种硫系化合物太阳能薄膜的处理方法

说明书

本发明公开了一种硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，所述硫系薄膜用于制作太阳电池，其中，所述处理方法包括步骤：提供硫系化合物太阳能薄膜；提供硫系单质薄膜，所述硫系单质薄膜中的硫系元素与所述硫系化合物太阳能薄膜中的硫系元素相同；将所述硫系单质薄膜与所述硫系化合物太阳能薄膜叠加，得到叠加膜层；在真空或惰性气氛下对所述叠加膜层进行加热处理，使硫系单质薄膜中的硫系元素进入到所述硫系化合物太阳能薄膜中。本发明提供的硫系化合物太阳能薄膜的处理方法简单方便，成本低，易于控制薄膜成分和薄膜生长方式，更容易实现产业化推广。

技术领域

本发明涉及硫系薄膜的后处理技术领域，尤其涉及一种硫系化合物太阳能薄膜的处理方法。

背景技术

硫系薄膜太阳电池具有无毒、成本低、结构简单等优点，备受研究者的关注和青睐。因此，获取高质量太阳能电池用的硫系薄膜是目前该领域的前沿研究课题之一。

在硫系薄膜的制备过程中，饱和蒸汽高的硫系材料会易于挥发、损失，且由于合成高质量的硫系薄膜都需要进行热处理，因此，一次成型的硫系薄膜中，硫族元素往往会不足，因此需要进行后处理，增加薄膜材料中的硫族元素组合。目前大部分的技术都是将一次成型的薄膜材料，在硫族元素的气氛下进行热处理，以增加硫族元素成分，但这个方法可控性和重复性较差，且极大的浪费原材料。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，旨在解决现有技术对硫系薄膜的后处理方法存在可控性和重复性较差以及浪费较多原材料的问题。

本发明的技术方案如下：

一种硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，所述硫系薄膜用于制作太阳电池，其中，包括步骤：

提供硫系化合物太阳能薄膜；

提供硫系单质薄膜，所述硫系单质薄膜中的硫系元素与所述硫系化合物太阳能薄膜中的硫系元素中的至少一种相同；

将所述硫系单质薄膜与所述硫系化合物太阳能薄膜叠加，得到叠加膜层；

在真空或惰性气氛下对所述叠加膜层进行加热处理，使硫系单质薄膜中的硫系元素进入到所述硫系化合物太阳能薄膜中。

所述硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，其中，所述硫系化合物太阳能薄膜为SbSe薄膜、CuZnSnSe薄膜和CuInGaSe薄膜中的一种。

所述硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，其中，所述硫系单质薄膜为硫单质薄膜、硒单质薄膜和碲单质薄膜中的一种。

所述硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，其中，所述加热处理的温度为300-500℃。

所述硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，其中，所述加热处理的时间为15-120min。

所述硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，其中，所述硫系化合物太阳能薄膜为SbSe薄膜，所述硫系单质薄膜为硒单质薄膜。

所述硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，其中，所述硫系化合物太阳能薄膜为CuZnSnSe薄膜，所述硫系单质薄膜为硒单质薄膜。

所述硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，其中，在真空或惰性气氛下对所述叠加膜层进行加热处理，制得所述热电薄膜的步骤中，还包括：

在垂直所述叠加膜层的方向上施加压力。

所述硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，其中，采用物理气相沉积方法或化学气相沉积方法制备硫族单质薄膜。

所述硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，其中，采用物理气相沉积方法或化学气相沉积方法制备硫系化合物太阳能薄膜。