[发明专利]一种硫系化合物太阳能薄膜的处理方法

权利要求书

1.一种硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，其特征在于，包括步骤：

提供硫系化合物太阳能薄膜；

提供硫系单质薄膜，所述硫系单质薄膜中的硫系元素与所述硫系化合物太阳能薄膜中的硫系元素相同；

将所述硫系单质薄膜与所述硫系化合物太阳能薄膜叠加，得到叠加膜层；

在真空或惰性气氛下对所述叠加膜层进行加热处理，使硫系单质薄膜中的硫系元素进入到所述硫系化合物太阳能薄膜中，同时在垂直所述叠加膜层的方向上施加压力；

其中，所述硫系化合物太阳能薄膜为SbSe薄膜、CuZnSnSe薄膜中的一种；

所述硫系单质薄膜为硫单质薄膜、硒单质薄膜和碲单质薄膜中的一种；

所述加热处理的温度为400-450℃；

所述加热处理的时间为15-120min。

2.根据权利要求1所述硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，其特征在于，所述硫系化合物太阳能薄膜为SbSe薄膜，所述硫系单质薄膜为硒单质薄膜。

3.根据权利要求1所述硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，其特征在于，所述硫系化合物太阳能薄膜为CuZnSnSe薄膜，所述硫系单质薄膜为硒单质薄膜。

4.根据权利要求1所述硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，其特征在于，采用物理气相沉积方法或化学气相沉积方法制备硫族单质薄膜。

5.根据权利要求1所述硫系化合物太阳能薄膜的处理方法，其特征在于，采用物理气相沉积方法或化学气相沉积方法制备硫系化合物太阳能薄膜。