[发明专利]一种功率开关器件结构及其制作方法

权利要求书

1.一种功率开关器件结构，其特征在于，包括：

叠层结构，包括在垂直方向上依次堆叠的漏极层、衬底、第一导电类型外延层、层间介质层、源极层及栅极层；

沟槽栅结构，包括栅极沟槽及位于所述栅极沟槽中的场板、第一控制栅层、第二控制栅层、屏蔽栅层、第一栅介质层及第二栅介质层，其中，所述栅极沟槽自所述外延层顶面开口，并往所述外延层的底面方向延伸，但未贯穿所述外延层的底面；所述场板位于所述栅极沟槽底部；所述第一控制栅层、所述第二控制栅层及所述屏蔽栅层均位于所述场板上方，且所述屏蔽栅层在水平方向上位于所述第一控制栅层与所述第二控制栅层之间，所述第一控制栅层与所述第二控制栅层的底面均高于所述屏蔽栅的底面，所述第一控制栅层与所述第二控制栅层分别通过第一接触孔与第二接触孔电连接至所述栅极层，所述屏蔽栅层通过第三接触孔电连接至所述源极层；所述第一栅介质层包围所述第一控制栅层的侧面与底部，所述第二栅介质层包围所述第二控制栅层的侧面与底部；

第二导电类型体区，位于所述外延层的顶部并分布于所述沟槽栅结构左右两侧，且所述体区的底面不低于所述第一控制栅层及第二控制栅层的底面；

第一导电类型源区，位于所述体区的顶部并通过第四接触孔电连接至所述源极层，且所述源区的底面不低于所述体区的底面。

2.根据权利要求1所述的功率开关器件结构，其特征在于：所述第一控制栅层的材质包括多晶硅，所述第二控制栅层的材质包括多晶硅，所述屏蔽栅层的材质包括多晶硅。

3.根据权利要求1所述的功率开关器件结构，其特征在于：所述第四接触孔在垂直方向上贯穿所述源区，并往下延伸至所述体区中。

4.根据权利要求1所述的功率开关器件结构，其特征在于：所述功率开关器件结构还包括耐压结构，所述耐压结构包括耐压沟槽及位于所述耐压沟槽中的绝缘层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一隔离层及第二隔离层，所述体区还分布于所述耐压沟槽两侧，其中，所述体区分布于所述耐压沟槽两侧的部分作为所述耐压结构的组成部分，所述耐压沟槽自所述外延层顶面开口，并往所述外延层的底面方向延伸，但未贯穿所述外延层的底面，所述耐压沟槽在水平方向上与所述栅极沟槽间隔预设距离；所述绝缘层位于所述耐压沟槽底部；所述第一导电层、所述第二导电层及所述第三导电层均位于所述绝缘层上方，且所述第三导电层在水平方向上位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，所述第一导电层与所述第二导电层的底面均高于所述第三导电层的底面；所述第一导电层、所述第二导电层及所述第三导电层分别通过第五接触孔、第六接触孔及第七接触孔电连接至所述源极层；所述第一隔离层包围所述第一导电层的侧面与底部，所述第二隔离层包围所述第二导电层的侧面与底部。

5.根据权利要求4所述的功率开关器件结构，其特征在于：所述体区分布于所述耐压沟槽两侧的部分不设有所述源区，所述体区的底面不低于所述第一导电层及所述第二导电层的底面，所述体区分布于所述耐压结构两侧的部分分别通过第八接触孔与第九接触孔电连接至所述源极层。

6.根据权利要求4所述的功率开关器件结构，其特征在于：所述第一导电层的材质包括多晶硅，所述第二导电层的材质包括多晶硅，所述第三导电层的材质包括多晶硅。

7.根据权利要求1所述的功率开关器件结构，其特征在于：所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。