[发明专利]半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

存储器块，所述存储器块具有分别联接到多条源极选择线的多个子块；

外围电路，所述外围电路被配置为对所述存储器块执行数据编程操作；以及

控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以：

增大联接到所述存储器块的公共源极线的电压，

将所述多条源极选择线当中的至少一条源极选择线的电压增大到第一电压电平，并且

设置联接到所述存储器块的位线的电压，并且将所述至少一条源极选择线的电压从所述第一电压电平增大到第二电压电平。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路，以将所述多条源极选择线当中的与被选作编程目标的子块联接的第一源极选择线的电压以及所述多条源极选择线当中的与除所述编程目标之外的至少一个子块联接的第二源极选择线的电压增大到所述第一电压电平。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路，以将所述第一源极选择线的电压和所述第二源极选择线的电压从所述第一电压电平增大到所述第二电压电平。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第二电压电平是使得联接到所述至少一条源极选择线的晶体管能够导通的电压。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路，以在与被选作编程目标的子块联接的第一源极选择线的电压保持在所述第二电压电平的状态下，将所述多条源极选择线当中的与未被选作所述编程目标的至少一个子块联接的第二源极选择线的电压增大到所述第一电压电平。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路，以在所述第一源极选择线的电压保持在所述第二电压电平的状态下，将所述第二源极选择线的电压从所述第一电压电平增大到所述第二电压电平。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以：

在将所述至少一条源极选择线的电压增大到所述第一电压电平之后，设置所述位线的电压，并且

在已经开始设置所述位线的电压之后，将所述至少一条源极选择线的电压从所述第一电压电平增大到所述第二电压电平。

8.一种操作半导体存储器装置的方法，所述方法用于对具有分别联接到多条源极选择线的多个子块的存储器块进行编程，所述方法包括以下步骤：

增大联接到所述存储器块的公共源极线的电压；

将所述多条源极选择线当中的至少一条源极选择线的电压增大到第一电压电平；以及

在将所述至少一条源极选择线的电压从所述第一电压电平增大到第二电压电平的同时设置联接到所述存储器块的位线的电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述多条源极选择线当中的所述至少一条源极选择线的电压增大到所述第一电压电平的步骤包括以下步骤：

将与所述多个子块当中的被选作编程目标的子块联接的第一源极选择线的电压以及与除所述编程目标之外的至少一个子块联接的第二源极选择线的电压增大到所述第一电压电平。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在将所述至少一条源极选择线的电压从所述第一电压电平增大到所述第二电压电平的同时设置联接到所述存储器块的所述位线的电压的步骤包括以下步骤：

将所述第一源极选择线和所述第二源极选择线的电压从所述第一电压电平增大到所述第二电压电平。