[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，通过调整第一蚀刻电压和第二蚀刻电压大小，以及蚀刻所需氧气含量、蚀刻压力值，并对多层介电材料层进行多次蚀刻，使得多层介电材料层上形成第二开口，且多层介电材料层中每一层介电材料层均在第二开口处形成倾角；由于在多次蚀刻过程中调整了蚀刻所需的蚀刻电压、蚀刻所需氧气含量、蚀刻压力值等参数，使得多层介电材料层中每一层介电材料层形成的倾角减小，多层介电材料层在第二开口平滑过渡，避免在倾角处出现爬坡断线的问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

迷你发光二极管(mini-Light Emitting Diode，mini-LED)在生产过程中，因反射片裁切孔直径较大，LED附近反射光不足，易导致LED上方暗区。采用分布式布拉格反射(Distributed Bragg Reflection，DBR)结构替代原钝化层结构，DBR通过不同折射率的材质交叠，产生强干扰，在可见光范围内实现高反射率效果，有效改善LED灯上方暗区的问题。

在Mini-LED产品的DBR结构可由不同介电材料常数的绝缘膜层组成，如介电材料层1/介电材料层2/介电材料层1，一方面可起到良好的绝缘作用，另一方面可有效改善LED灯暗区问题，大大提高产能光学性能。但是，由于介电材料层1和介电材料层2膜质一般差异较大，蚀刻速率的差异也大，在进行干蚀刻制程时无法形成合适的倾角，使后续制备氧化铟锡(ITO)时，在倾角形成的爬坡处易出现断裂，接触阻抗异常无法导通，且断裂位置处水汽与侵入导致出现腐蚀现象，极大影响产品的正常显示。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，旨在解决现有技术下的多层介电材料层容易发生爬坡断线的问题。

第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括第一基板，所述第一基板上方设置有层叠设置的多层介电材料层，以及设置在所述多层介电材料层上方的光阻层，所述光阻层包括第一开口；

其中，所述多层介电材料层上与所述第一开口对应的位置形成第二开口，所述多层介电材料层中每一层介电材料层在所述第二开口处均形成倾角，以使得所述多层介电材料层在所述第二开口处平滑过渡。

进一步的，所述多层介电材料层包括层叠设置的第一介电材料层和第二介电材料层，所述第一介电材料层设置在所述第二介电材料层上方，所述第一介电材料层在所述第二开口处形成第一倾角，所述第二介电材料层在所述第二开口处形成第二倾角；

其中，所述第一倾角与所述第二倾角均小于70°。

进一步的，所述多层介电材料层还包括第三介电材料层，所述第三介电材料层设置在所述第二介电材料层上方，所述第三介电材料层在所述第二开口处形成第三倾角；

所述第三倾角小于70°。

第二方面，本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：

制备初始阵列基板，所述初始阵列基板包括第一基板，所述第一基板上方设置有层叠设置的多层介电材料层，以及设置在所述多层介电材料层上方的光阻层，所述光阻层包括第一开口；

对所述多层介电材料层进行多次蚀刻，使得所述多层介电材料层在与所述第一开口对应的位置形成第二开口，且所述多层介电材料层中每一层介电材料层在所述第二开口处均形成倾角，以使得所述多层介电材料在所述第二开口处平滑过渡。

进一步的，所述阵列基板的制备方法在基板制备装置中进行；所述多层介电材料层包括第一介电材料层、第二介电材料层和第三介电材料层，所述第一介电材料层设置在所述第二介电材料层上方，所述第二介电材料层设置在所述第三介电材料层上方，所述光阻层设置在所述第一介电材料层上方；