[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

制备初始阵列基板，所述初始阵列基板包括第一基板，所述第一基板上方设置有层叠设置的多层介电材料层，以及设置在所述多层介电材料层上方的光阻层，所述光阻层包括第一开口；

对所述多层介电材料层进行多次蚀刻，使得所述多层介电材料层在与所述第一开口对应的位置形成第二开口，且所述多层介电材料层中每一层介电材料层在所述第二开口处均形成倾角，以使得所述多层介电材料在所述第二开口处平滑过渡；

其中，所述阵列基板的制备方法在基板制备装置中进行；所述多层介电材料层包括第一介电材料层、第二介电材料层和第三介电材料层，所述第一介电材料层设置在所述第二介电材料层上方，所述第二介电材料层设置在所述第三介电材料层上方，所述光阻层设置在所述第一介电材料层上方；

所述对所述多层介电材料层进行多次蚀刻，使得所述多层介电材料层在与所述第一开口对应的位置形成第二开口，且所述多层介电材料层中每一层介电材料层在所述第二开口处均形成倾角，以使得所述多层介电材料在所述第二开口处平滑过渡，包括：

获取对所述多层介电材料层进行蚀刻的第一初始蚀刻电压和第二初始蚀刻电压，所述第一初始蚀刻电压用于电离气体，所述第二初始蚀刻电压用于控制电离后的气体进行蚀刻；

增加所述第一初始蚀刻电压大小至所述第一初始蚀刻电压的125%-135%，得到第一蚀刻电压；

增加所述第二初始蚀刻电压大小至所述第二初始蚀刻电压的125%-135%，得到第二蚀刻电压；

调整所述第一蚀刻电压和所述第二蚀刻电压的比例小于等于第一比例值，调整所述基板制备装置中当前氧气含量至第一含量范围，利用所述第一蚀刻电压和所述第二蚀刻电压对所述第一介电材料层和所述第二介电材料层进行蚀刻，使得所述第一介电材料层在所述第二开口处形成第一倾角，所述第二介电材料层在所述第二开口处形成第二倾角。

2.据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述调整所述第一蚀刻电压与所述第二蚀刻电压的比例小于等于第一比例值，包括：

调整所述第一蚀刻电压和所述第二蚀刻电压的比例小于等于1。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述调整所述基板制备装置中当前氧气含量至第一含量范围，包括：

降低所述基板制备装置中当前氧气含量至400标况毫升每分-600标况毫升每分。

4.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

降低所述第一蚀刻电压至所述第一初始蚀刻电压，降低所述第二蚀刻电压至第二初始蚀刻电压，调整所述第一蚀刻电压与所述第二蚀刻电压的比例小于等于所述第一比例值；

调整当前氧气含量至第二含量范围，增大当前基板制备装置中的蚀刻压力至预设蚀刻压力值，利用所述第一蚀刻电压和所述第二蚀刻电压蚀刻所述第三介电材料层，使得所述第三介电材料层在所述第二开口处形成第三倾角。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

调整当前氧气含量至第三含量范围，对所述光阻层进行退光阻处理，使得所述光阻层在所述第一开口处的蚀刻量达到所述光阻层的35%-45%，且同时利用所述氧气修整所述第一倾角、所述第二倾角和所述第三倾角，使得所述多层介电材料层在所述第二开口处平滑过渡。