[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成包括第一开口的图案化掩模；

在所述第一开口中形成导电部件；

在所述导电部件的侧壁和顶面上沉积钝化层；

图案化所述钝化层以在所述钝化层中形成第二开口，其中，所述钝化层包括面向所述第二开口的侧壁；

在所述钝化层上分配平坦化层；

图案化所述平坦化层以形成第三开口，其中，在图案化所述平坦化层之后，所述平坦化层的一部分位于所述第二开口中并覆盖所述钝化层的侧壁；以及

形成延伸至所述第三开口中的凸块下金属(UBM)。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述钝化层的边缘部分中形成阶梯，其中，所述阶梯直接位于所述第二开口的顶部下面，并且其中所述阶梯低于所述钝化层的顶面。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述形成步骤包括：

形成蚀刻掩模；以及

使用不同工艺条件执行多个蚀刻工艺。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述多个蚀刻工艺包括：

各向异性蚀刻工艺；以及

在所述各向异性蚀刻工艺之后执行各向同性蚀刻工艺。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述平坦化层的步骤包括：

分配所述平坦化层，以及

对所述平坦化层执行平坦化工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述钝化层包括使用共形沉积工艺来沉积无机层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化层使用第一光敏材料作为蚀刻掩模来图案化，并且所述平坦化层进一步由第二光敏材料形成。

8.一种半导体器件，包括：

第一介电层；

再分布线，包括：

金属晶种层；

第一导电部件，位于所述金属晶种层上方并与所述金属晶种层接触；

钝化层，包括：

侧壁部分，在所述金属晶种层和所述第一导电部件的侧壁上延伸；

第一顶部，位于所述第一导电部件上方并与所述第一导电部件接触；

平坦化层，包括位于所述第一导电部件上方的第二顶部，其中，所述第二顶部延伸到所述第一顶部中以接触所述第一导电部件；以及

第二导电部件，延伸到所述第一顶部和所述第二顶部中以接触所述再分布线。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述平坦化层包括聚合物，并且所述钝化层包括无机介电材料。

10.一种半导体器件，包括：

第一钝化层；

再分布线，包括：

通孔部分，延伸到第一钝化层中；以及

迹线部分，位于通孔部分上方并与所述通孔部分接触，其中，所述迹线部分位于所述第一钝化层上方；

第二钝化层，包括位于所述再分布线上方并与所述再分布线接触的第一顶部，其中，所述第二钝化层的第一顶部具有第一开口，其中，所述第二钝化层的侧壁面向所述第一开口；

平坦化层，包括聚合物，其中，所述平坦化层的一部分延伸到所述第一开口中以接触所述第二钝化层的侧壁；以及

凸块下金属(UBM)，延伸至所述平坦化层中。