[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

方法包括形成包括第一开口的图案化掩模；在第一开口中形成导电部件；在导电部件的侧壁和顶面上沉积钝化层；以及图案化钝化层以在钝化层中形成第二开口。钝化层包括面向第二开口的侧壁。在钝化层上分配平坦化层。图案化平坦化层以形成第三开口。在图案化平坦化层之后，平坦化层的一部分位于第二开口中并覆盖钝化层的侧壁。形成延伸至第三开口中的凸块下金属(UBM)。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

在集成电路的形成中，诸如晶体管的集成电路器件形成在晶圆中的半导体衬底的表面处。然后，在集成电路器件上方形成互连结构。金属焊盘形成在互连结构上方并且电耦合至互连结构。钝化层和第一聚合物层形成在金属焊盘上方，金属焊盘通过钝化层和第一聚合物层中的开口暴露。

然后，可以形成再分布线以连接至金属焊盘的顶面，随后在再分布线上方形成第二聚合物层。凸块下金属(UBM)形成为延伸至第二聚合物层中的开口中，其中，UBM电连接至再分布线。可以将焊球放置在UBM上方并且回流。

发明内容

本申请的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成包括第一开口的图案化掩模；在所述第一开口中形成导电部件；在所述导电部件的侧壁和顶面上沉积钝化层；图案化所述钝化层以在所述钝化层中形成第二开口，其中，所述钝化层包括面向所述第二开口的侧壁；在所述钝化层上分配平坦化层；图案化所述平坦化层以形成第三开口，其中，在图案化所述平坦化层之后，所述平坦化层的一部分位于所述第二开口中并覆盖所述钝化层的侧壁；以及形成延伸至所述第三开口中的凸块下金属(UBM)。

本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一介电层；再分布线，包括：金属晶种层；第一导电部件，位于所述金属晶种层上方并与所述金属晶种层接触；钝化层，包括：侧壁部分，在所述金属晶种层和所述第一导电部件的侧壁上延伸；第一顶部，位于所述第一导电部件上方并与所述第一导电部件接触；平坦化层，包括位于所述第一导电部件上方的第二顶部，其中，所述第二顶部延伸到所述第一顶部中以接触所述第一导电部件；以及第二导电部件，延伸到所述第一顶部和所述第二顶部中以接触所述再分布线。

本申请的又一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一钝化层；再分布线，包括：通孔部分，延伸到第一钝化层中；以及迹线部分，位于通孔部分上方并与所述通孔部分接触，其中，所述迹线部分位于所述第一钝化层上方；第二钝化层，包括位于所述再分布线上方并与所述再分布线接触的第一顶部，其中，所述第二钝化层的第一顶部具有第一开口，其中，所述第二钝化层的侧壁面向所述第一开口；平坦化层，包括聚合物，其中，所述平坦化层的一部分延伸到所述第一开口中以接触所述第二钝化层的侧壁；以及凸块下金属(UBM)，延伸至所述平坦化层中。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图17示出了根据一些实施例的在封装件的形成中的中间阶段的截面图。

图18至图20示出了根据一些实施例的在封装件的形成中的中间阶段的截面图。

图21和图22示出了根据一些实施例的在封装件的形成中的中间阶段的截面图

图23示出了根据一些实施例的两条再分布线的顶视图。

图24示出了根据一些实施例的用于形成器件的工艺流程。

具体实施方式