[发明专利]晶片承载结构和料盘在审
| 申请号： | 202110379655.4 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113078096A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 郎欣林;罗会才;闫静 | 申请（专利权）人： | 深圳市丰泰工业科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/673 |
| 代理公司： | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人： | 艾青;牛悦涵 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 承载 结构 | ||
1.一种晶片承载结构，其特征在于，包括：粘接层和承载层，所述粘接层成型于所述承载层上，所述粘接层用于粘接晶片，所述承载层的延伸率的取值范围为0％至5％。
2.根据权利要求1所述的晶片承载结构，其特征在于，所述承载层包括PET膜。
3.根据权利要求1所述的晶片承载结构，其特征在于，所述承载层的透光率的取值范围为75％至100％，且所述粘接层的透光率的取值范围为75％至100％。
4.根据权利要求1所述的晶片承载结构，其特征在于，所述粘接层包括紫外线失粘剂。
5.根据权利要求4所述的晶片承载结构，其特征在于，所述紫外线失粘剂的粘性的取值范围为50g至1500g。
6.一种料盘，其特征在于，包括：支撑件和如权利要求1至5任一项所述的晶片承载结构，所述支撑件上开设有通孔，所述晶片承载结构覆盖所述通孔。
7.根据权利要求6所述的料盘，其特征在于，所述支撑件包括金属材料支撑件、高分子材料支撑件、陶瓷材料支撑件、玻璃材料支撑件、或复合材料支撑件中的一种或多种。
8.根据权利要求6所述的料盘，其特征在于，所述支撑件的厚度介于1mm至10mm之间。
9.根据权利要求6所述的料盘，其特征在于，所述通孔包括直线段和圆弧段，所述圆弧段与所述直线段首尾连接，所述晶片承载结构覆盖所述直线段和所述圆弧段。
10.根据权利要求9所述的料盘，其特征在于，所述支撑件的外部轮廓为矩形，所述直线段与所述支撑件的一条侧边平行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
