[发明专利]弹性波装置及复合滤波器装置

说明书

提供一种弹性波装置及复合滤波器装置，能够充分地抑制谐振频率的2.2倍的频率下的高阶模式。本发明的弹性波装置(1)具备面取向为(111)的硅基板(2)、氮化硅层(3)、氧化硅层(4)、钽酸锂层(5)、以及设置在钽酸锂层(5)上的IDT电极(6)。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时，氮化硅层(3)的厚度SiN[λ]、氧化硅层(4)的厚度SiO2[λ]、钽酸锂层(5)的厚度LT[λ]及钽酸锂层(5)的欧拉角中的LTθ[deg.]为通过式1导出的第一高阶模式的相位成为‑20[deg.]以下的范围内的厚度及角度。

技术领域

本发明涉及弹性波装置及复合滤波器装置。

背景技术

以往，弹性波装置被广泛用于便携电话机的滤波器等。在下述的专利文献1中公开了弹性波装置的一例。在该弹性波装置中，在包括硅的支承基板上层叠有氧化硅膜。在氧化硅膜上层叠有压电膜。在压电膜上设置有IDT(Interdigital Transducer，叉指换能器)电极。支承基板的方位角为(100)、(110)或(111)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2018/164210号

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1所记载的弹性波装置中，抑制了谐振频率的1.5倍的频率下的高阶模式。但是，无法充分地抑制谐振频率的2.2倍的频率下的高阶模式。

本发明的目的在于，提供一种能够充分地抑制谐振频率的2.2倍的频率下的高阶模式的弹性波装置及复合滤波器装置。

用于解决课题的手段

本发明的弹性波装置具备：面取向为(111)的硅基板；设置在所述硅基板上的氮化硅层；设置在所述氮化硅层上的氧化硅层；设置在所述氧化硅层上的钽酸锂层；以及设置在所述钽酸锂层上的IDT电极，所述弹性波装置具有谐振频率，在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ、将所述氮化硅层的厚度设为SiN[λ]、将所述氧化硅层的厚度设为SiO2[λ]、将所述钽酸锂层的厚度设为LT[λ]、将所述钽酸锂层的欧拉角设为(LTφ[deg.]，LTθ[deg.]，LTφ[deg.])时，所述SiN[λ]、所述SiO2[λ]、所述LT[λ]及所述LTθ[deg.]是通过下述的式1导出的第一高阶模式的相位成为-20[deg.]以下的范围内的厚度及角度。

[数1]

相位[deg.]＝

6047.63520371535-3073.77179344486×(″LT[λ]″)

-150.043164693716×(″LTθ[deg.]″)+85.8474275079871×(″SiO2[λ]″)

+122.520263077834×(″SiN[λ]″)+13410.0503377046×(″LT[λ]″)²

-22919.3322354524×(″LT[λ]″)³+1.23679341913702×(″LTθ[deg.]″)²

-0.00339999845069541×(″LTθ[deg.]″)³

+8.82482069182538×(″LT[λ]″)×(″LTθ[deg.]″)

-693.691058668391×(″LT[λ]″)×(″SiN[λ]″)...式1