[发明专利]弹性波装置及复合滤波器装置

权利要求书

1.一种弹性波装置，具备：

面取向为(111)的硅基板；

设置在所述硅基板上的氮化硅层；

设置在所述氮化硅层上的氧化硅层；

设置在所述氧化硅层上的钽酸锂层；以及

设置在所述钽酸锂层上的IDT电极，

所述弹性波装置具有谐振频率，

将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ、将所述氮化硅层的厚度设为SiN[λ]、将所述氧化硅层的厚度设为SiO2[λ]、将所述钽酸锂层的厚度设为LT[λ]、将所述钽酸锂层的欧拉角设为(LTφ[deg.]，LTθ[deg.]，LTφ[deg.])时，所述SiN[λ]、所述SiO2[λ]、所述LT[λ]及所述LTθ[deg.]是通过下述的式1导出的第一高阶模式的相位成为-20[deg.]以下的范围内的厚度及角度，

[数1]

相位[deg.]＝

6047.63520371535-3073.77179344486×(″LT[λ]″)-150.043164693716×(″LTθ[deg.]″)+85.8474275079871×(″SiO2[λ]″)+122.520263077834×(″SiN[λ]″)+13410.0503377046×(″LT[λ]″)²-22919.3322354524×(″LT[λ]″)³+1.23679341913702×(″LTθ[deg.]″)²-0.00339999845069541×(″LTθ[deg.]″)³+8.82482069182538×(″LT[λ]″)×(″LTθ[deg.}″)-693.691058668391×(″LT[λ]″)×(″SiN[λ]″)…式1。

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

所述SiN[λ]、所述SiO2[λ]、所述LT[λ]及所述LTθ[deg.]是通过所述式1导出的所述第一高阶模式的相位成为-73[deg.]以下的范围内的厚度及角度。

3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，

在将所述硅基板的欧拉角设为(-45[deg.]，-54.7[deg.]，SiΨ[deg.])时，0[deg.]≤SiΨ[deg.]≤30[deg.]，

LT[λ]≤0.179[λ]，

所述SiN[λ]、所述SiO2[λ]、所述LT[λ]、所述LTθ[deg.]及所述SiΨ[deg.]是通过下述的式2导出的第二高阶模式的相位成为-70[deg.]以下的范围内的厚度及角度，

[数2]

相位[deg.]＝

(-205.883644685925)+127.798701342823×(″LT[λ]″)+2.15277969099328×(″LTθ[deg.]″)-102.612816079968×(″SiO2[λ]″)-0.224847505825644×(”Siψ[deg.]″)-51.4047137303909×(″SiN[λ]″)-0.00890818181751331×(″LTθ[deg.]″)²+307.622195727849×(″SiO2[λ]″)²-0.00758239200722899×(″Siψ[deg.]″)²+77.4266396390485×(″SiN[λ]″)²-181.250917094982×(″LT[λ]″)×(″SiN[λ]″)+1.30355347496229×(″Siψ[deg.]″)×(″SiN[λ]″)…式2。

4.根据权利要求3所述的弹性波装置，其中，

所述SiN[λ]、所述SiO2[λ]、所述LT[λ]、所述LTθ[deg.]及所述SiΨ[deg.]是通过所述式2导出的所述第二高阶模式的相位成为-82[deg.]以下的范围内的厚度及角度。