[发明专利]一种化学气相沉积装置

说明书

本发明提供一种化学气相沉积装置。所述化学气相沉积装置包括反应腔室，反应腔室的顶部设有第一进气管路，第一进气管路内部设有第二进气管路；第一进气管路用于通入反应气体，第二进气管路用于通入清洗气体；其中，第二进气管路的出口端设有一分流盘，分流盘位于反应腔室内，分流盘上设有一个第一通孔和多个第二通孔，第二进气管路的出口与第一通孔对应，第一进气管路的出口与多个第二通孔对应。本发明通过将反应气体和清洗气体通过第二进气管路隔离开，避免三氟化铝晶体颗粒被带入反应腔室内，通过设置分流盘，不仅能引导气体向四周和下侧进行扩散，进一步隔离反应气体和清洗气体，还能同步改善气流分布均匀性，从而提高成膜均匀性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积装置。

背景技术

在制造显示面板时，通常采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺对无定形薄膜和微晶薄膜进行沉积。CVD工艺通过将前体反应气体注入等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)腔室，然后利用由射频(RF)或直流放电形成的等离子体将气体裂解成活性离子或自由基。CVD工艺在显示面板制造领域有着广泛应用。由于PECVD腔室是封闭的真空系统，在成膜时，基板和腔室内壁都会有薄膜沉积，当腔室内壁的薄膜沉积到一定厚度时，很容易脱落而掉在基板上，导致基板产生缺陷，严重影响良率。因此，每进行一定数量的薄膜沉积后，就需要进行远程等离子体源清洗(Remote Plasma Source Clean，RPSC)，将腔室内壁上的薄膜洗掉。

其中，CVD工艺中的反应气体和清洗气体三氟化氮(NF₃)都会经过RPSC单元，由同一根管路进入腔室。当执行清洗时，NF₃解离出F离子，而进气管路的材质为铝(Al)，F离子与Al发生反应生成三氟化铝(AlF₃)，随着清洗时间不断增加，三氟化铝晶体会逐步变大；后续执行成膜制程时，反应气体从进气口进入会将三氟化铝晶体带入腔室，造成基板上三氟化铝晶体颗粒聚集。现有技术为了避免三氟化铝晶体进入腔室，设置三通装置，使得反应气体避开RPSC单元进入腔室，尽管反应气体避开了RPSC单元，但还是要和清洗气体经同一个进气口进入腔室，随着时间增加，还是会有少量三氟化铝晶体颗粒在基板上聚集，从而影响基板的品质，影响良率。故，有必要改善这一缺陷。

发明内容

本发明实施例提供一种化学气相沉积装置，用于解决现有技术的化学气相沉积装置由于反应气体与清洗气体经同一进气口进入腔室，使得清洗过程中产生的三氟化铝晶体颗粒在基板上聚集，影响基板的品质，影响良率的技术问题。

本发明实施例提供一种化学气相沉积装置，包括反应腔室，所述反应腔室的顶部设有第一进气管路，所述第一进气管路内部设有第二进气管路；所述第一进气管路用于通入反应气体，所述第二进气管路用于通入清洗气体；其中，所述第二进气管路的出口端设有一分流盘，所述分流盘位于所述反应腔室内，所述分流盘上设有一个第一通孔和多个第二通孔，所述第二进气管路的出口与所述第一通孔对应，所述第一进气管路的出口与所述多个第二通孔对应。

在本发明实施例提供的化学气相沉积装置中，所述第二进气管路与所述第一进气管路为同心环管路。

在本发明实施例提供的化学气相沉积装置中，所述分流盘与所述反应腔室的顶部连接。

在本发明实施例提供的化学气相沉积装置中，所述分流盘与所述反应腔室的顶部之间形成有多个出气通道。

在本发明实施例提供的化学气相沉积装置中，所述分流盘与所述第二进气管路一体成型。

在本发明实施例提供的化学气相沉积装置中，所述分流盘与所述第二进气管路通过一连接管可拆卸连接，所述连接管为导通所述第二进气管路和所述第一通孔的空心管。

在本发明实施例提供的化学气相沉积装置中，所述第二进气管路的出口端形成有凹槽，所述连接管通过至少一个密封圈与所述凹槽连接。